[发明专利]量子级联激光器、发光设备、制作半导体激光器的方法

权利要求书

1.一种量子级联激光器，包括：

激光器结构，所述激光器结构具有主表面和与所述主表面相反的背面并且包括第一区、第二区和第三区，所述第一区具有端面，所述主表面是外延表面；

高比电阻区，所述高比电阻区被设置在所述第一区的所述主表面和所述第二区的所述主表面上；

金属层，所述金属层被设置在所述第三区的所述主表面上；

介电膜，所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上；以及

反射金属膜，所述反射金属膜经由所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上，

所述第一区、所述第二区和所述第三区被依次布置在第一轴的方向上，

所述激光器结构包括半导体台面和半导体基部，所述半导体台面具有芯层，并且所述半导体基部用于安装所述半导体台面，并且

所述高比电阻区具有在所述第一区与所述第二区之间的边界处的具有水平差的台阶，所述台阶在与所述第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸，

其中，

所述激光器结构还包括第四区，所述第一区、所述第二区、所述第三区和所述第四区被依次布置在所述第一轴的方向上，

所述高比电阻区在所述激光器结构上具有无机绝缘层，

所述无机绝缘层在所述第四区的所述半导体台面上具有条形开口，

所述金属层通过所述条形开口与所述第四区接触，

所述无机绝缘层被设置在所述第一区、所述第二区和所述第三区的所述主表面上，

所述高比电阻区具有布置在所述第一轴的方向上的第一部分和第二部分，

所述高比电阻区的所述第一部分和所述第二部分分别被设置在所述第一区的所述主表面和所述第二区的所述主表面上，

所述高比电阻区的所述第一部分具有第一厚度，

所述高比电阻区的所述第二部分具有与所述第一厚度不同的第二厚度，

所述高比电阻区的所述第一部分和所述第二部分彼此邻接以形成所述台阶，

所述高比电阻区在所述第三区的所述主表面上还具有第三部分，所述高比电阻区的所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分在所述第二轴的方向上延伸，

所述高比电阻区的所述第三部分具有与所述第二厚度不同的第三厚度，并且

所述高比电阻区的所述第二部分和所述第三部分彼此邻接以形成沟槽。

2.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其中，所述无机绝缘层与所述第一区、所述第二区和所述第三区接触。

3.根据权利要求1所述的量子级联激光器，还包括设置在所述激光器结构的所述背面上的背金属层。

4.一种量子级联激光器，包括：

激光器结构，所述激光器结构具有主表面和与所述主表面相反的背面并且包括第一区、第二区和第三区，所述第一区具有端面，所述主表面是外延表面；

高比电阻区，所述高比电阻区被设置在所述第一区的所述主表面和所述第二区的所述主表面上；

金属层，所述金属层被设置在所述第三区的所述主表面上方；

介电膜，所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上；以及

反射金属膜，所述反射金属膜经由所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上，

所述第一区、所述第二区和所述第三区被依次布置在第一轴的方向上，

所述激光器结构包括半导体台面和半导体基部，所述半导体台面具有芯层，并且所述半导体基部用于安装所述半导体台面，并且

所述高比电阻区具有在所述第一区与所述第二区之间的边界处的具有水平差的台阶，所述台阶在与所述第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸，

其中，

所述激光器结构还包括第四区，所述第一区、所述第二区、所述第三区和所述第四区被依次布置在所述第一轴的方向上，

所述高比电阻区在所述激光器结构上具有无机绝缘层，

所述无机绝缘层在所述第四区的所述半导体台面上具有条形开口，

所述金属层通过所述条形开口与所述第四区接触，

所述高比电阻区还包括高比电阻半导体层，所述高比电阻半导体层被设置在所述激光器结构与所述无机绝缘层之间，

所述无机绝缘层具有在所述高比电阻半导体层上延伸的边缘，并且

所述水平差是通过所述无机绝缘层的所述边缘形成的。