[发明专利]一种氮氧化物传感器陶瓷芯片

权利要求书

1.一种氮氧化物传感器陶瓷芯片，芯片本体自上而下由第一层膜片(1)、第二层膜片(2)、第三层膜片((10)、第四层膜片(3)、第五层膜片(4)叠压构成，其特征在于：第一层膜片(1)的上表面设置有表面覆盖有保护层的氧泵正极(13)，覆盖有保护层的氧泵正极(13)和第一层膜片(1)上加工有第一通孔为采集腔(a)，位于采集腔(a)下方第二层膜片(2)上加工有第二通孔、第三通孔、第四通孔，第二通孔内设置有第一扩散障(12)，第一扩散障(12)将第二通孔分隔成第一测量室(b)和缓冲腔(c)，缓冲腔(c)位于采集腔(a)的正下方，第一测量室(b)内第一层膜片(1)底部和第三层膜片(10)上表面设置有主氧泵负极(11)，第二通孔与第三通孔之间设置有第二扩散障(14)，第三通孔为第二测量室(d)，第二测量室(d)内第一层膜片(1)底部和第三层膜片(10)上表面设置有辅助泵负极(15)，第三通孔与第四通孔之间设置有第三扩散障(16)，第四通孔为第三测量室(f)，第三测量室(f)内第一层膜片(1)底部和第三层膜片(10)上表面设置有表面覆盖有保护层的测量电极(9)，第三层膜片(10)上加工有第五通孔与第二层膜片(2)和第四层膜片(3)形成半封闭的参比通道(h)，参比通道(h)内第二层膜片(2)下表面设置有表面覆盖有保护层的参比电极(6)，第四层膜片(3)与第五层膜片(4)之间设置有加热电极绝缘层(7)和加热电极(8)，加热电极(8)包裹在加热电极绝缘层(7)内，加热电极外引线(5)穿过第五层膜片(4)位于第五层膜片(4)下表面，第五层膜片(4)加工有应力释放孔(g)，应力释放孔(g)内填充有加热电极绝缘层用浆料。

2.根据权利要求1所述的氮氧化物传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述的第一通孔和第二通孔均为圆孔，第一通孔的直径小于第二通孔的直径，第三通孔和第四通孔均为矩形孔。

3.根据权利要求2所述的氮氧化物传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述的第一扩散障(12)为环形结构，第一扩散障(12)将第二通孔分隔成内部为缓冲腔(c)、外部为第一测量室(b)，所述缓冲腔(c)的直径大于第一通孔的直径。

4.根据权利要求1所述的氮氧化物传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述的加热电极绝缘层(7)的材质为Al₂O₃绝缘浆料。