[发明专利]高纯度大比表面积超细晶AZO陶瓷靶材粉体材料的制备方法

权利要求书

1.一种高纯度大比表面积超细晶AZO陶瓷靶材粉体材料的制备方法，其特征是，制备步骤包括：

步骤1)取100~120份Zn(NO₃)₂·6H₂O、2~2.4份Al(NO₃)₃·9H₂O加入到去离子水中充分溶解后再加入40~50份离子液体混合得到混合液，将混合液置于超声波装置中进行混合均匀，设置超声频率为30~40kHz、超声功率为100~120w，超声温度为60~80℃，超声时间为12~15min，在剧烈搅拌下缓慢加入氨水调节混合液pH为7，然后先通入横向交变磁场对混合液进行磁场照射处理，设置横向交变磁场的磁感应强度为0.3~0.5T，频率为5kHz，电流密度为8.5A/cm²照射15~20min，然后再通入纵向交变磁场进行处理，设置纵向交变磁场的磁感应强度为0.3~0.5T，频率为5kHz，电流密度为8.5A/cm²照射15~20min，磁场处理结束后将混合物置于室温下陈化22~24h，然后离心分离，先用氨水洗涤沉淀2次，再用蒸馏水、无水乙醇洗重复洗涤沉淀3~5次得到固体产物；

步骤2)将步骤1)得到的固体产物放置于微波炉中，在微波功率为800w，微波频率为2450MHZ的条件下干燥6~8min得到AZO前驱体，将AZO前驱体置于微波高温窑炉中进行煅烧，在煅烧前通入氩气作为保护气体，设置微波功率为750~800W，煅烧时间为5~8min，煅烧完毕后进行降温，待煅烧产物冷却后取出进行研磨，过筛，即得到AZO陶瓷靶材粉体材料。

2.根据权利要求1所述的一种高纯度大比表面积超细晶AZO陶瓷靶材粉体材料的制备方法，其特征是，所述的离子液体为[bmim]BF4离子液体、[bmim]PF6离子液体、[bmim]Br离子液体、[hmim]BF4离子液体中的一种或两种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的一种高纯度大比表面积超细晶AZO陶瓷靶材粉体材料的制备方法，其特征是，所述的AZO陶瓷靶材粉体材料粒径大小40.6~41.5nm。

4.根据权利要求1所述的一种高纯度大比表面积超细晶AZO陶瓷靶材粉体材料的制备方法，其特征是，制备得到的AZO陶瓷靶材粉体材料主要应用于磁控溅射镀膜技术中。

5.根据权利要求1所述的一种高纯度大比表面积超细晶AZO陶瓷靶材粉体材料的制备方法，其特征是，本发明的制备方法同样适用于各类磁控溅射镀膜陶瓷靶材粉体材料的制备。