[发明专利]一种背照单光子雪崩二极管图像传感器

权利要求书

1.一种背照单光子雪崩二极管图像传感器，其特征在于：包括

一个传感器晶片；

一个传播区域；

一个包含第一掺杂剂类型的阳极梯度层；

一个相邻的前表面包括背照单光子雪崩二极管区和第二掺杂型阴极区，且位于所述阴极区上并包括所述第一掺杂剂类型的阳极雪崩层，其中所述阴极区具有第一区域，所述阳极雪崩层具有小于第一区域的第二区域；

一个在所述阳极梯度层中第一掺杂剂类型的掺杂浓度在所述传感器晶片的背面较高，并且在阳极梯度层的正面较低，以在所述阳极梯度层中产生掺杂浓度梯度，并引导光子产生的电荷载体通过所述阳极梯度层到达所述阳极雪崩层；

一个放置在所述传感器晶片下面并附在晶片上的电路晶片，其中电路板包括电源电压耦合到所述背照单光子雪崩二极管区，并通过第一晶圆间的连接器和输出电路耦合到所述阴极区通过第二晶圆间连接。

2.根据权利要求1所述的一种背照单光子雪崩二极管图像传感器，其特征在于：背照单光子雪崩二极管图像传感器进一步包括相邻的背照单光子雪崩二极管区的深沟槽隔离区。