[发明专利]一种自动陶瓷柱栅阵列植柱机的植柱方法有效
申请号: | 201810625044.1 | 申请日: | 2018-06-17 |
公开(公告)号: | CN108807188B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 吴华丰;高攀;于瑞善 | 申请(专利权)人: | 重庆群崴电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 重庆项乾光宇专利代理事务所(普通合伙) 50244 | 代理人: | 马光辉 |
地址: | 408102 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 陶瓷 阵列 植柱机 方法 | ||
1.一种自动陶瓷柱栅阵列植柱机,其特征在于:包括振动台,所述振动台的前端面上设置有触控屏操作界面和参数设置面板,振动台的上表面设置有XY工作台,所述XY工作台的上表面通过模具锁紧装置安装有蜂窝模具,模具锁紧装置中部设有容纳蜂窝模具的植柱槽,且模具锁紧装置其中一侧开有连通植柱槽和接料槽的清柱口;
所述蜂窝模具包括:
容料筛盘,其能够容置于植柱槽中,且所述容料筛盘上设有容料凹槽;
振动筛盘,其具有振动筛槽,且振动筛槽中部设有对应容料凹槽的振动筛网;
焊接下模,其设有放置CCGA器件的卡槽;
焊接上盖,其形状与焊接下模相匹配,焊接上盖的表面设有匹配容料筛盘的上盖凹槽,上盖凹槽中部设有同时匹配容料凹槽和卡槽的上盖筛网。
2.根据权利要求1所述的自动陶瓷柱栅阵列植柱机,其特征在于:所述焊柱的直径为0.2~2mm,高度为0.4~4mm;焊柱为纯铜。
3.根据权利要求1所述的自动陶瓷柱栅阵列植柱机,其特征在于:所述焊柱的直径为0.4~0.6mm,高度为2~3mm;焊柱由合金材料制成,各组分的重量百分比分别为:铅90%,锡10%。
4.根据权利要求1所述的自动陶瓷柱栅阵列植柱机,其特征在于:所述焊柱为外部带有铜带的焊料柱,直径为0.4~0.6mm,高度为2~3mm;焊柱由合金材料制成,各组分的重量百分比分别为:铅80%,锡20%。
5.一种根据权利要求1所述自动陶瓷柱栅阵列植柱机的植柱方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)、打开植柱机电源,观察参数设置是否正确;
(2)、将容料筛盘放到植柱槽中,容料凹槽朝上;
(3)、在容料筛盘上放入振动筛盘,振动筛槽朝上,往振动筛槽中倒入焊柱;
(4)、按下植柱停止键,待振动筛槽中的焊柱通过振动筛网进入容料凹槽中;
(5)、取下振动筛盘,将容料凹槽表面多余的焊柱通过请柱口清除到接料槽中,然后按清柱停止键,待焊柱清理干净后取下容料筛盘;
(6)将涂好锡膏的CCGA器件,放入焊接下模的卡槽里,并盖上焊接上盖,焊接上盖的上盖凹槽朝外;
(7)将步骤(6)中组合在一起的具有上盖凹槽的一面盖在容料筛盘上,然后整体翻面,通过振动台的抖动直到容料筛盘中的焊柱都落下,然后取下容料筛盘;
(8)将步骤(7)中组合在一起的焊接下模和焊接上盖一起放入焊接冶具中焊接;
(9)焊接完成后取出模具,待冷却后取下焊接上盖,再取出焊接下模中的CCGA器件,从而完成植柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造