[发明专利]用于半导体装置制造的衬底处理方法有效
| 申请号： | 201810626640.1 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148279B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 拉马·I·赫格德 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 制造 衬底 处理 方法 | ||
1.一种方法，其特征在于，包括：
在氧化物层上沉积第一金属层，所述氧化物层形成于锗衬底的顶表面处；
在所述第一金属层上沉积第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层包括与所述第一金属层相同的金属材料；以及
在第一退火处理期间，将所述第一金属层连同所述氧化物层与所述第一金属氧化物层组合以形成介电层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层与所述第一金属层反应以在所述第一退火处理期间去除所述氧化物层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层通过原子层沉积(ALD)处理进行沉积。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为10埃或更小。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述介电层上沉积栅极材料层，并且图案化所述栅极材料层以形成晶体管栅极和栅极电介质，所述栅极电介质包括所述介电层的一部分。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极材料包括钛材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层包括铪(Hf)材料并且所述第一金属氧化物层包括铪材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成于锗衬底的顶表面处的所述氧化物层被表征为锗氧化物(GeOX)层。
9.一种方法，其特征在于，包括：
在锗氧化物(GeOX)层上沉积金属层，所述锗氧化物层形成于锗衬底的顶表面处；
在第一退火处理期间，组合所述金属层和所述锗氧化物层以形成第一金属氧化物层；
在所述第一金属氧化物层上沉积第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层包括与所述第一金属氧化物层相同的金属材料；以及
在第二退火处理期间，由所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层形成高K介电层。
10.一种方法，其特征在于，包括：
在锗氧化物(GeOX)层上沉积第一金属层，所述锗氧化物层形成于锗衬底的顶表面处；
在第一退火处理期间，组合所述第一金属层和所述锗氧化物层以形成第一金属氧化物层；以及
在所述第一金属氧化物层上沉积第二金属层，所述第二金属层包括与所述第一金属层相同的金属材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
