[发明专利]一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法

权利要求书

1.一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

第1步、以Mo为衬底，在衬底上制备出覆盖不完全的薄层Cu薄膜；

第2步、将第1步覆盖不完全的薄层Cu薄膜浸泡在稀盐酸溶液中，生成Cu纳米颗粒；

第3步、以第2步生成的表面存在Cu纳米颗粒的Mo为衬底，在含有Cu元素的盐溶液中电沉积得到Cu薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，其特征在于，所述的Mo衬底是以钙钠玻璃为衬底，通过磁控溅射的方法在钙钠玻璃上制备而成。

3.根据权利要求1所述的一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，其特征在于，第1步所述覆盖不完全的薄层Cu薄膜通过电沉积、磁控溅射、化学气相沉积或蒸发的方法制备而成。

4.根据权利要求1所述的一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，其特征在于，第2步所述的Cu纳米颗粒的尺寸与密度通过在稀盐酸溶液中浸泡的时间调控。