[发明专利]降低或者消除Ⅲ-氮化物结构中的纳米管缺陷

权利要求书

1.一种器件，包括：

布置在n型区与p型区之间的Ⅲ-氮化物发光层；以及

掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层，其中n型区布置在掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层与发光层之间。

2.权利要求1的器件，还包括包括纳米管缺陷的层，其中掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层布置在包括纳米管缺陷的层与发光层之间，其中纳米管缺陷在掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层中终止。

3.权利要求1的器件，其中受主是镁。

4.权利要求3的器件，其中掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层与n型层共同电气连接。

5.权利要求1的器件，其中掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层是第一镁掺杂层，器件还包括布置在第一镁掺杂层与发光层之间的第二镁掺杂层。

6.权利要求5的器件，其中第一镁掺杂层被掺杂到比第二镁掺杂层更低的镁浓度。

7.权利要求1的器件，还包括布置在掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层与Ⅲ-氮化物发光层之间的包括铝的层。

8.权利要求1的器件，其中Ⅲ-氮化物发光层与掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层间隔至少1微米。

9.一种器件，包括：

布置在n型区与p型区之间的Ⅲ-氮化物发光层；

包括纳米管缺陷的Ⅲ-氮化物层；以及

布置在Ⅲ-氮化物发光层与包括纳米管缺陷的Ⅲ-氮化物层之间的纳米管终止层，其中纳米管在纳米管终止层中终止。

10.权利要求9的器件，其中纳米管终止层包括铝。

11.权利要求10的器件，其中纳米管终止层包含镁。

12.权利要求9的器件，其中纳米管终止层包括超晶格，超晶格包括多个交替的第一和第二层。

13.权利要求12的器件，其中第一层是GaN，并且第二层是Al_xGa_1-xN，其中0＜x≤1。

14.权利要求12的器件，其中第一层是Al_bGa_1-bN，并且第二层是Al_cGa_1-cN，其中b≠c。

15.权利要求9的器件，其中Ⅲ-氮化物发光层与纳米管终止层间隔至少1微米。

16.权利要求9的器件，其中纳米管终止层与n型层共同电气连接。

17.权利要求9的器件，其中纳米管终止层与n型层共同电气连接。

18.权利要求9的器件，其中纳米管终止层包括静电放电保护电路的部分。

19.一种方法，包括：

在生长衬底之上生长Ⅲ-氮化物层，其中Ⅲ-氮化物层包括纳米管缺陷；

在Ⅲ-氮化物层之上生长纳米管终止层，其中纳米管在纳米管终止层中终止；以及

在纳米管终止层之上生长Ⅲ-氮化物发光层。

20.权利要求19的方法，其中Ⅲ-氮化物层以第一温度生长并且纳米管终止层以第二温度生长，其中第二温度低于第一温度100至200℃。