[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；

对所述应力释放层的表面进行伽马射线辐照，降低所述应力释放层的电阻率，伽马射线辐照的吸收剂量为50kGy～150kGy；当所述应力释放层包括多个氮化铟镓层和多个氮化镓层时，辐照伽马射线避免氮化铟的产生；当所述应力释放层的材料采用镓铟铝氮时，辐照伽马射线避免氮化铝镓、氮化铟镓、氮化铝和氮化铟的产生；

采用化学气相沉积技术在所述应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，伽马射线辐照时所述应力释放层所处环境的压力为50Torr～200Torr。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，伽马射线辐照时所述应力释放层所处环境的温度为20℃～80℃。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述应力释放层的表面进行伽马射线辐照，降低所述应力释放层的电阻率，包括：

产生伽马射线，并将伽马射线照射所述应力释放层的表面。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述产生伽马射线，包括：

放射性同位素的原子核衰变或发生核反应，产生伽马射线。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述放射性同位素为Cs-137或Co-60。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述产生伽马射线，包括：

超短激光脉冲和电离气体发生反应，产生伽马射线。

8.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述应力释放层层叠有所述有源层的表面为经过伽马射线辐照的表面，伽马射线辐照的吸收剂量为50kGy～150kGy；当所述应力释放层包括多个氮化铟镓层和多个氮化镓层时，辐照伽马射线避免氮化铟的产生；当所述应力释放层的材料采用镓铟铝氮时，辐照伽马射线避免氮化铝镓、氮化铟镓、氮化铝和氮化铟的产生。