[发明专利]异质结场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810628897.0 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108807530B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;王磊;敖金平 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种异质结场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上制备AlGaN/GaN异质外延层；
在所述AlGaN/GaN异质外延层上制备源电极和漏电极；
利用磁控溅射法在所述AlGaN/GaN异质外延层上沉积p型氧化物，制得p型氧化物栅极，所述p型氧化物选自p型氧化铜、p型氧化亚铜、p型氧化镍和p型氧化镁中的任意一种。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述p型氧化物为p型氧化亚铜，沉积所述p型氧化物的步骤包括：以铜靶为铜源，以氩气与氧气的混合气体为溅射气体和反应气体，进行磁控溅射处理。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氩气与所述氧气的体积比为15：3-4。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射处理的反应功率为10-100W；和/或
所述磁控溅射处理的反应压强为0.2-0.3Pa。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射处理之前，还包括用氩气对所述铜靶表面进行去氧化物处理的步骤。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述去氧化物处理的步骤包括：以150-160W的溅射功率，通氩气10-12min。
7.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石。
8.一种如权利要求1-6任一项所述方法的制备的异质结场效应晶体管，包括AlGaN/GaN异质外延层，所述AlGaN/GaN异质外延层上设置有源电极和漏电极；其特征在于，所述AlGaN/GaN异质外延层上还设置有p型氧化物组成的p型氧化物栅极帽层结构。
9.如权利要求8所述的异质结场效应晶体管，其特征在于，所述p型氧化物选自p型氧化铜、p型氧化亚铜、p型氧化镍和p型氧化镁中的任意一种。
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