[发明专利]一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法

权利要求书

1.一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，其特征在于：依次由衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层、CsPbI₃钙钛矿量子点发光层、“4,4,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺空穴传输层、MoO₃/Au/MoO₃阳极层组成。

2.如权利要求1所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，其特征在于：采用Ag阴极，Ag可以自发掺杂进入钙钛矿层中，改善LED性能。

3.如权利要求1所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，其特征在于：Ag阴极层的厚度为80～200nm，ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层的厚度为40～60nm，CsPbI₃钙钛矿量子点发光层的厚度为30～70nm，TCTA空穴传输层的厚度为5～55nm，MoO₃/Au/MoO₃阳极层的厚度为16～24nm，其中MoO₃厚度范围2～4nm、Au厚度范围12～16nm。

4.权利要求1～3所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED的制备方法，其步骤如下：

(1)制备CsPbI₃钙钛矿量子点；

(2)制备ZnO量子点；

(3)通过热蒸发在衬底上沉积Ag膜作为阴极层；

(4)将ZnO量子点溶液在Ag膜上自旋包覆，再在空气中退火，在衬底上得到ZnO膜；然后将衬底转移到填充氮气的手套箱中，将PEI的2-甲氧基乙醇溶液旋涂到ZnO膜上并在空气中退火，得到ZnO量子点/PEI双层电子传输层；

(5)在ZnO量子点/PEI双层电子传输层上，将CsPbI₃钙钛矿量子点溶液自旋浇铸得到发光层；

(6)在真空沉积室中通过热蒸发，在发光层上依次沉积作为空穴传输层的TCTA和作为阳极的MoO₃/Au/MoO₃膜，从而得到自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED。