[发明专利]基座组件及反应腔室

权利要求书

1.一种基座组件，包括基座，所述基座包括用于承载晶圆的承载面，其特征在于，在所述基座中设置有气体通道，所述气体通道的出气端位于所述承载面，在所述承载面上形成有凹道，所述凹道与所述气体通道的出气端连通，用于在所述晶圆置于所述承载面上时，向所述晶圆的下表面与所述承载面之间的所述凹道通入热交换气体；

所述基座组件还包括流量控制器，所述流量控制器用于控制自所述气体通道的出气端流出的热交换气体的流量。

2.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述流量的取值范围在1sccm～4sccm。

3.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述凹道延伸至所述基座的边缘，以使所述热交换气体沿所述凹道扩散至所述基座的外部。

4.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述气体通道的出气端位于所述承载面的中心；

所述凹道包括在所述承载面上形成的沿所述承载面的周向均匀分布的多条第一径向凹道，每条所述第一径向凹道沿所述承载面的径向设置，且所述第一径向凹道的一端与所述气体通道的出气端连通，所述第一径向凹道的另一端位于所述基座的边缘处。

5.根据权利要求4所述的基座组件，其特征在于，所述凹道还包括在所述承载面上形成的一条或者多条内径不同的环形凹道，所述环形凹道围绕所述承载面的中心设置。

6.根据权利要求5所述的基座组件，其特征在于，所述凹道还包括在所述承载面上形成的多条第二径向凹道，在任意相邻的两条所述第一径向凹道之间设置有一条所述第二径向凹道；并且，每条所述第二径向凹道沿所述承载面的径向设置，且所述第二径向凹道的一端与半径最小的所述环形凹道相交，所述第二径向凹道的另一端位于所述基座的边缘处。

7.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述凹道的宽度为2mm。

8.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述凹道的深度为1mm。

9.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述基座还包括顶盘和沉积环，所述沉积环套设在所述顶盘上，并与所述顶盘固定连接，其中，所述承载面设置在所述顶盘上。

10.一种反应腔室，在所述反应腔室中设置有用于承载晶圆的基座组件，其特征在于，所述基座组件采用权利要求1-9中任一所述的基座组件。