[发明专利]金属中框的表面处理方法、金属中框及电子设备

权利要求书

1.一种金属中框的表面处理方法，其特征在于，所述金属中框包括：本体部，所述本体部上设有镭雕区域，所述金属中框的表面处理方法包括如下步骤：

对所述本体部的外表面进行镜面抛光处理；

采用镭雕设备对所述镭雕区域进行镭雕，以在所述镭雕区域形成外观纹理；

对所述镭雕区域进行渐变色阳极氧化处理，以使所述镭雕区域的表面具有渐变色氧化膜。

2.根据权利要求1所述的金属中框的表面处理方法，其特征在于，还包括：在对所述本体部抛光处理之后且在对所述镭雕区域进行镭雕之前，对所述本体部的外表面进行单色阳极氧化处理，以使所述本体部的外表面具有单一颜色氧化膜。

3.根据权利要求1所述的金属中框的表面处理方法，其特征在于，所述镭雕区域具有相互垂直的长度方向和宽度方向，沿所述长度方向对所述镭雕区域进行渐变色阳极氧化处理。

4.根据权利要求1所述的金属中框的表面处理方法，其特征在于，所述镭雕区域具有相互垂直的长度方向和宽度方向，沿所述宽度方向对所述镭雕区域进行渐变色阳极氧化处理。

5.根据权利要求1所述的金属中框的表面处理方法，其特征在于，所述镭雕区域具有相互垂直的长度方向和宽度方向，沿与所述长度方向和所述宽度方向成夹角的方向对所述镭雕区域进行渐变色阳极氧化处理。

6.根据权利要求1所述的金属中框的表面处理方法，其特征在于，从所述镭雕区域的中间位置朝向所述镭雕区域的至少一端进行渐变色阳极氧化处理。

7.根据权利要求1所述的金属中框的表面处理方法，其特征在于，控制所述镭雕设备发出的镭雕光束与所述镭雕区域之间具有夹角α，α满足：30°≤α≤60°。

8.根据权利要求1所述的金属中框的表面处理方法，其特征在于，所述镭雕设备的镭雕功率为P、镭雕速度为v、镭雕频率为f，其中，40W≤P≤60W，1500mm/s≤v≤2000mm/s，25khz≤f≤45khz。

9.一种金属中框，其特征在于，所述金属中框具有本体部，所述本体部包括基板和侧板，所述侧板从所述基板的外周沿的至少一部分相对所述基板向上延伸，所述侧板的至少一部分形成镭雕区域，所述本体部和所述镭雕区域采用根据权利要求1-8中任一项所述的表面处理方法进行处理。

10.根据权利要求9所述的金属中框，其特征在于，所述金属中框为铝材料件。

11.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求9或10所述的金属中框。