[发明专利]具有鳍形有源区的半导体器件

说明书

本发明提供一种高度集成的半导体器件。所述半导体器件包括衬底，所述衬底包括由所述衬底中的沟槽界定的器件区。所述半导体器件包括多个鳍形有源区，所述多个鳍形有源区在所述器件区中彼此间隔开且在第一方向上延伸。所述半导体器件包括突出图案，所述突出图案沿所述沟槽的底表面延伸。另外，所述突出图案与所述多个鳍形有源区之间的间隔大于所述多个鳍形有源区中两个相邻的鳍形有源区之间的间隔。

[相关申请的交叉引用]

本申请主张在2017年9月15日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0118837号的权利，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本公开内容涉及半导体器件。

背景技术

随着近年来信息媒体的迅速普及，半导体器件的功能得到了显著发展。为了确保竞争力并以低成本及高质量实现产品的高集成度，已执行半导体器件的尺寸缩小。

为使半导体器件的尺寸缩小，已开发出一种其中形成有从衬底突出的鳍形有源区，且接着在鳍形有源区上形成栅极电极的晶体管。形成在鳍形有源区中的晶体管可具有提高的电流控制能力且可免受短沟道效应(short channel effect，SCE)。

发明内容

本发明概念提供一种具有鳍形有源区的高度集成的半导体器件。

根据本发明概念的示例性实施例，一种半导体器件可包括衬底，所述衬底包括由所述衬底中的沟槽界定的器件区。所述半导体器件可包括多个鳍形有源区，所述多个鳍形有源区在所述器件区中彼此间隔开且在第一方向上延伸。另外，所述半导体器件可包括多个突出图案，所述多个突出图案沿所述沟槽的底表面延伸。所述多个突出图案中的一者可从所述器件区的侧壁的下端延伸。所述多个鳍形有源区中的相邻的鳍形有源区可在与所述第一方向垂直的第二方向上以第一节距彼此间隔开。所述多个突出图案与所述多个鳍形有源区可在所述第二方向上以第二节距彼此间隔开，且所述第二节距可大于所述第一节距。

根据本发明概念示例性实施例的一种半导体器件可包括衬底，所述衬底包括由所述衬底中的沟槽界定的器件区。所述半导体器件可包括多个鳍形有源区，所述多个鳍形有源区在所述器件区中彼此间隔开且在第一方向上延伸。所述半导体器件可包括多个突出图案，所述多个突出图案沿所述沟槽的底表面延伸。另外，所述多个突出图案与所述多个鳍形有源区之间的间隔可大于所述多个鳍形有源区中两个相邻的鳍形有源区之间的间隔。

根据本发明概念示例性实施例的一种半导体器件可包括衬底，所述衬底包括由所述衬底中的沟槽界定的器件区。所述半导体器件可包括多个鳍形有源区，所述多个鳍形有源区在所述器件区中以第一节距彼此间隔开且在第一方向上延伸。所述半导体器件可包括突出图案，所述突出图案从所述器件区的侧壁的下端沿所述沟槽的底表面延伸。所述半导体器件可包括隔离层，所述隔离层位于所述多个鳍形有源区的侧壁的下部部分上、所述器件区的所述侧壁上以及所述突出图案上。另外，所述半导体器件可包括多个栅极结构，所述多个栅极结构在所述隔离层上及所述多个鳍形有源区上彼此间隔开且在第二方向上延伸。所述多个栅极结构中的每一者可包括与所述多个鳍形有源区相交的栅极介电膜及栅极导电层。所述突出图案及所述多个鳍形有源区可在所述第二方向上以大于所述第一节距的第二节距彼此间隔开。

附图说明

结合附图阅读下文详细说明，将更清楚地理解本发明概念的示例性实施例，在附图中：

图1A、图1B、图1C、图1D、图2A、图2B、图2C、图2D、图3A、图3B、图3C、图3D、图4A、图4B、图4C、图4D、图5A、图5B、图5C及图5D示出根据本发明概念一些示例性实施例的制造(例如形成)半导体器件的方法的附图。具体来说，图1A是平面图，且图1B至图1D是剖视图，图1A以及图1B至图1D示出根据本发明概念一些示例性实施例的制造半导体器件的方法。