[发明专利]一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种单色微型发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上采用金属有机物化学气相沉积法生长反射层；

在所述反射层上生长量子阱有源层；

在所述量子阱有源层上生长电流扩散层；

在所述电流扩散层上生长接触层，以形成外延片结构；

所述制作方法还包括：

在所述接触层的上方设置掩膜，对所述掩膜暴露的各膜层进行刻蚀，在各膜层上形成暴露所述衬底的隔离沟槽；

在所述隔离沟槽中填充高光阻材料，形成用于隔离各所述外延片的间隔层；

在所述间隔层上形成多个沿列方向延伸的条形的第一电极，各所述第一电极分别与一列所述外延片的所述接触层相接触；

对所述衬底进行刻蚀，暴露所述反射层和所述间隔层；

在所述反射层和所述间隔层上形成多个沿行方向延伸的条形的第二电极。

2.一种显示装置，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，位于所述第一基板之上呈阵列分布的单色微型发光二极管器件，以及位于所述第二基板面向各所述单色微型发光二极管器件一侧的量子点彩膜层；其中，

所述单色微型发光二极管器件采用如权利要求1所述的制作方法制作而成，所述单色微型发光二极管器件包括外延片，位于各所述外延片之间的间隔层，以及位于所述间隔层背离所述第一基板一侧的条形的第一电极；

各所述第一电极分别与一列所述外延片对应，各所述第一电极分别与对应的一列所述外延片相接触；各所述第一电极在所述第一基板的正投影位于所述间隔层在所述第一基板的正投影之内；

所述量子点彩膜层包括：多个子像素单元；各所述外延片与各所述子像素单元一一对应。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述外延片在所述第一基板的正投影与对应的所述子像素单元在所述第一基板的正投影重叠。

4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述间隔层在所述第一基板的正投影的图形为网格状图形；所述间隔层，用于隔离各所述外延片。

5.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述单色微型发光二极管还包括：位于所述第一基板与所述外延片之间的条形的第二电极；

各所述第二电极分别与一行所述外延片对应，每行所述外延片在所述第一基板的正投影与对应的所述第二电极在所述第一基板的正投影具有重叠区域。

6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述量子点彩膜层还包括：位于各所述子像素之间的遮光层；

所述遮光层在所述第一基板的正投影位于所述间隔层在所述第一基板的正投影之内。

7.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述外延片包括：在所述第二电极上依次叠层设置的反射层、量子阱有源层、电流扩散层以及接触层。

8.如权利要求2-6任一项所述的显示装置，其特征在于，所述单色微型发光二极管器件的发射光为蓝色光；所述子像素单元分为红色子像素单元、绿色子像素单元和透射子像素单元。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述透射子像素单元内分散有散射颗粒。