[发明专利]蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法

权利要求书

1.蚀刻剂组合物，其包括：

过硫酸盐；

氟化物；

基于四个氮的环状化合物；

基于一个氮的环状化合物；

含硫原子的基于三个氮的环状化合物；和

水，

其中所述蚀刻剂组合物进一步包括磺酸化合物、硫酸氢盐、以及磷酸和/或磷酸盐，并且包括相对于所述蚀刻剂组合物的总重量的：

5-20重量％的所述过硫酸盐；

0.1-5重量％的所述硫酸氢盐；

0.1-3重量％的所述磺酸化合物；

0.01-3重量％的所述磷酸和/或所述磷酸盐；

0.01-1重量％的所述氟化物；

0.1-1重量％的所述基于四个氮的环状化合物；

0.01-3重量％的所述基于一个氮的环状化合物；

0.01-1重量％的所述含硫原子的基于三个氮的环状化合物；和

所述水，其量使得整个组合物的总重量对应于100重量％。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述基于一个氮的环状化合物包括选自噻唑和5-氧代脯氨酸的至少一种。

3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述含硫原子的基于三个氮的环状化合物包括选自如下的至少一种：3-巯基-4-甲基-4H-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇、和1H-1,2,4-三唑-3-硫醇。

4.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述含硫原子的基于三个氮的环状化合物对所述基于四个氮的环状化合物的重量比为1:6-1:1。

5.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述磺酸化合物包括选自如下的至少一种：甲磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、磺酸铵、氨基磺酸、环状磺酸化合物、和基于烃的磺酸化合物。

6.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述硫酸氢盐包括选自如下的至少一种：硫酸氢铵、硫酸氢钠、硫酸氢锂、和硫酸氢钾。

7.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述磷酸盐包括选自如下的至少一种：磷酸铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、磷酸钾、磷酸氢二钾、磷酸二氢钾、磷酸钠、磷酸氢二钠、和磷酸二氢钠。

8.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述过硫酸盐包括选自如下的至少一种：过硫酸钾、过硫酸钠、和过硫酸铵。

9.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述氟化物包括选自如下的至少一种：氢氟酸、氟化钠、氟氢化钠、氟化铵、氟氢化铵、氟硼酸铵、氟化钾、氟氢化钾、氟化铝、氟硼酸、氟化锂、氟硼酸钾、氟化钙、和六氟硅酸。

10.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述基于四个氮的环状化合物包括选自如下的至少一种：氨基四唑、甲基四唑、和巯基甲基四唑。

11.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物能够蚀刻由钛膜和铜膜组成的多层膜。

12.用于制造金属图案的方法，所述方法包括：

在基板上形成包括钛和铜的金属膜；

在所述金属膜上形成光刻胶膜图案；

用所述光刻胶膜图案作为掩模，使用根据权利要求1-11任一项所述的蚀刻剂组合物将所述金属膜图案化；和

除去所述光刻胶膜图案。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述金属膜包括：

包括钛的第一金属膜；和

在所述第一金属膜上并且包括铜的第二金属膜。

14.用于制造薄膜晶体管基板的方法，所述方法包括：

在基板上形成栅极线和连接至所述栅极线的栅电极；

形成与所述栅极线绝缘并且与所述栅极线交叉的数据线、连接至所述数据线的源电极、以及与所述源电极间隔开的漏电极；和

形成连接至所述漏电极的像素电极，其中所述栅极线和所述栅电极的形成包括，

形成包括钛和铜的金属膜，

在所述金属膜上形成光刻胶膜图案，

用所述光刻胶膜图案作为掩模，使用根据权利要求1-11任一项的蚀刻剂组合物将所述金属膜图案化，和

除去所述光刻胶膜图案。