[发明专利]基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置有效
申请号: | 201810631924.X | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN109148342B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 大冈雄一;吉冈伸高 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 使用 处理 装置 | ||
1.一种基板保持件,其具有:顶板;底板;以及多根支柱,其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置,该基板保持件能够将基板保持成多层,在该基板保持件中,
通过对至少所述顶板和所述顶板附近的所述支柱的外侧进行切削,使基于所述顶板以及所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径形成得比基于所述底板以及所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径小。
2.根据权利要求1所述的基板保持件,其中,
所述支柱以外形与所述顶板的外形和所述底板的外形一致的方式与所述顶板的主面的外周端和所述底板的主面的外周端连结。
3.根据权利要求2所述的基板保持件,其中,
所述顶板和所述底板具有圆形部分和从该圆形部分向径向外侧突出而伸出来的支柱设置部。
4.根据权利要求3所述的基板保持件,其中,
与所述顶板连接的所述支柱的顶部的所述径向上的壁厚比与所述底板连接的所述支柱的基部的所述径向上的壁厚薄,所述顶板的外形形成得比所述底板的外形小所述顶部的所述壁厚与所述基部的所述壁厚之差的量。
5.根据权利要求4所述的基板保持件,其中,
所述支柱在所述顶部附近的预定上部区域中具有壁厚在所述径向上变薄而成的薄壁部。
6.根据权利要求5所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚越薄的形状。
7.根据权利要求6所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚逐渐变薄的锥形形状。
8.根据权利要求6所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚阶段性地变薄的台阶形状。
9.根据权利要求5~8中任一项所述的基板保持件,其中,
所述预定上部区域形成于所述基板保持件的全长的1/10以下的区域。
10.根据权利要求5~8中任一项所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部的沿着周向的宽度形成得比所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的沿着周向的宽度宽。
11.根据权利要求10所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部以截面积与所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面积相等的方式宽幅地形成。
12.根据权利要求5~8中任一项所述的基板保持件,其中,
所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面形状是圆形,所述薄壁部成为对圆的外侧进行切削而成的形状。
13.根据权利要求5~8中任一项所述的基板保持件,其中,
所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面形状是具有预定的底边和预定的高度的梯形,所述薄壁部是底边比所述预定的底边宽、且高度比所述预定的高度低的梯形。
14.根据权利要求1~8中任一项所述的基板保持件,其中,
所述多根支柱沿着铅垂方向形成有多个能够水平地载置基板的槽,所述多根支柱具有至少3根基板保持用支柱,该基板保持用支柱具有能够将多个基板保持成多层的槽构造。
15.根据权利要求14所述的基板保持件,其中,
所述多根支柱还具有加强用支柱,该加强用支柱不具有所述槽构造。
16.根据权利要求14所述的基板保持件,其中,
该基板保持件还具有将所述顶板和所述基板保持用支柱连结的加强用分支部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造