[发明专利]一种JFET区T型高掺碳化硅MOSFET的单胞结构及制备方法

权利要求书

1.一种JFET区T型高掺碳化硅MOSFET的单胞结构，其特征在于：包括第二导电类型外延层(4)，第二导电类型外延层(4)两肩依次生长第一导电类型阱区域(5)，第二导电类型源区域(6)和第一导电类型重掺杂区域(12)，两个阱区域中间引入第一导电类型区域；器件上方中间依次制备栅氧化层(8)和栅电极(9)，上方两端设置源电极(7)，再在上方覆盖钝化保护介质(10)，器件底部设置漏电极(11)。

2.根据权利要求1所述的JFET区T型高掺碳化硅MOSFET的单胞结构，其特征在于：所述第一导电类型区域可以是一层结构也可以是多层结构，所述多层结构的宽度也可以相同也可以不同，所述多层结构在高度方向上可以接触也可以有一定的间距。

3.根据权利要求1所述的JFET区T型高掺碳化硅MOSFET的单胞结构，其特征在于：所述第二导电类型外延层(4)包括重掺杂层(42)和轻掺杂层(41)。

4.一种JFET区T型高掺碳化硅MOSFET单胞结构的制备方法，其特征在于：包括步骤：

(1)在碳化硅衬底上生长第二导电类型外延层(4)；

(2)制备掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型阱区域(5)；

(3)去除之前的掩膜介质，重新制备掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第二导电类型源区域(6)；

(4)去除之前的掩膜介质，重新制备掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型重掺杂区域(12)；

(5)去除之前的掩膜介质，重新制备掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型区域，所述第一导电类型区域可以是一层结构也可以是多层结构；

(6)制作栅氧化层(8)和栅电极(9)；

(7)最后制作源极(7)，钝化保护介质(10)和漏极(11)。

5.根据权利要求4所述的JFET区T型高掺碳化硅MOSFET单胞结构的制备方法，其特征在于：步骤(5)后还包括，在第一导电类型区域和第一导电类型阱区域之间引入第二导电类型掺杂区域。

6.根据权利要求4所述的JFET区T型高掺碳化硅MOSFET单胞结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中，所述掩膜介质可以普通掩膜介质，也可以是多晶硅掩膜介质或二氧化硅掩膜介质。

7.根据权利要求6所述的JFET区T型高掺碳化硅MOSFET单胞结构的制备方法，其特征在于：使用普通掩膜介质制备多层结构的步骤为：

去除之前的掩膜介质，重新制备掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型区域1；去除之前的掩膜介质，重新制备掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型区域2；去除之前的掩膜介质，重新制备掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型区域3；以此类推。

8.根据权利要求6所述的JFET区T型高掺碳化硅MOSFET单胞结构的制备方法，其特征在于：使用多晶硅掩膜介质简化制备步骤为：

去除之前的掩膜介质，重新制备多晶硅掩膜介质，通过光刻、刻蚀等工艺后，制备注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型区域1；进行多晶硅自氧化，制备第一导电类型区域2注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型区域2；进行多晶硅自氧化，制备第一导电类型区域3注入掩膜介质，通过离子注入工艺制作第一导电类型区域3；以此类推。