[发明专利]SiC表面欧姆接触优化方法在审
| 申请号： | 201810633272.3 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109087850A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈允峰;黄润华;李士颜;柏松;栗锐;汪玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吴海燕 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆接触 优化 退火 低温合金 电极金属 多晶硅层 工艺优化 合金反应 金属体系 器件制备 单质碳 多晶硅 最优化 整合 掺杂 金属 引入 污染 | ||
1.一种SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：包括步骤：
(1)在SiC衬底需要形成欧姆接触电极的一面，通过离子注入进行重掺掺杂，并高温退火激活，形成SiC重掺层；
(2)在SiC重掺层表面，生长薄层金属；
(3)进行低温退火，使薄层金属与SiC重掺层反应形成合金层，并且剩余部分SiC重掺层；
(4)在合金层表面继续生长加厚金属，得到SiC表面欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：所述步骤(2)中，薄层金属为Ti、Ni或Ti/Ni多层金属层。
3.根据权利要求1所述的SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：所述步骤(4)前，增加合金层表面的表面处理，并生长金属薄层，再继续生长加厚金属。
4.一种SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：包括步骤：
(1)在SiC衬底需要形成欧姆接触电极的一面，通过离子注入进行重掺掺杂，并高温退火激活，形成SiC重掺层；
(2)在SiC重掺层表面，外延生长一定厚度的多晶硅层；
(3)对外延生长的多晶硅层进行掺杂，激活形成重掺多晶硅层；
(4)在重掺多晶硅层表面，生长薄层金属；
(5)低温退火，使薄层金属与重掺多晶硅层和SiC重掺层反应形成合金层，并且剩余部分SiC重掺层；
(6)在合金层表面继续生长加厚金属，得到SiC表面欧姆接触电极。
5.根据权利要求4所述的SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：所述步骤(4)中，薄层金属为Ni，在步骤(5)后，继续高温退火一定时间。
6.根据权利要求4所述的SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：所述步骤(4)中，薄层金属为Ti/Ni多层金属层。
7.一种SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：包括步骤：
(1)在SiC衬底需要形成欧姆接触电极的一面，外延生长一定厚度的多晶硅层；
(2)；在多晶硅层表面，生长与多晶硅厚度成比例的薄层金属Ni；
(3)低温退火，使得薄层金属Ni与多晶硅层反应形成合金层；
(4)对SiC继续高温退火一定时间；
(5)在合金层表面继续生长加厚金属，得到SiC表面欧姆接触电极。
8.根据权利要求7所述的SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：所述步骤(1)后，对外延生长的多晶硅层进行掺杂，激活形成重掺多晶硅层。
9.根据权利要求7所述的SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：所述步骤(3)后，在合金层表面继续生长一层薄层金属Ni；高温退火，薄层金属Ni、低温退火形成的合金层连同部分SiC表层，形成新的合金层。
10.根据权利要求7所述的SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：所述步骤(1)中，生长多晶硅层、非晶硅层或单晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
