[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810634505.1 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109065678B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层，其特征在于，
所述有源层包括交替层叠的垒层与阱层，所述阱层包括InGaN阱层，所述垒层包括依次层叠的InxGa1-xN子垒层、AlaInyN子垒层、AlbGa1-b-zInzN子垒层、AlcGa1-cN子垒层、AlbGa1-b-zInzN子垒层、AlaInyN子垒层、InxGa1-xN子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜0.5，0＜z＜0.5，0.5＜a＜1，0.5＜b＜1，0＜c＜1，a与y的关系满足公式：a+y＝1。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，0＜x＜1，0＜y＜0.3，0＜z＜0.3，0.7＜a＜1，0.7＜b＜1，0＜c＜1。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，x＞y＞z，a＜b＜c。
4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，a、b、c之间的关系满足公式：b-a＝c-b。
5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，(b-a)/a＝d，其中，1.2≤d≤1.5。
6.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，x、y、z之间的关系满足公式：x-y＝y-z。
7.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，(x-y)/x＝k，其中，0.7≤k≤0.8。
8.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长AlN缓冲层；
在AlN缓冲层上生长低温GaN缓冲层；
在所述低温GaN缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长有源层；
在所述有源层上生长P型GaN层，
其中，有源层包括交替层叠的垒层与阱层，所述阱层包括InGaN阱层，所述垒层包括依次层叠的InxGa1-xN子垒层、AlaInyN子垒层、AlbGa1-b-zInzN子垒层、AlcGa1-cN子垒层、AlbGa1-b-zInzN子垒层、AlaInyN子垒层、InxGa1-xN子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜0.5，0＜z＜0.5，0.5＜a＜1，0.5＜b＜1，0＜c＜1，a与y的关系满足公式：a+y＝1。
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