[发明专利]形成氧化铝层的方法、有氧化铝层的金属表面和电子器件在审
申请号: | 201810635363.0 | 申请日: | 2018-06-20 |
公开(公告)号: | CN109103114A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | J.加特鲍尔;W.莱纳特;K.马托伊;E.纳佩奇尼希;M.罗加利;M.施内根斯;B.魏德根斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;申屠伟进 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化铝层 金属表面 电子器件 群组 沉积 原子层沉积 金属 液态焊料 接触角 合金 申请 | ||
1.一种形成氧化铝层的方法,所述方法包括:
提供包括金属的群组中的至少一种金属的金属表面,所述群组包括铜、铝、钯、镍、银及其合金;以及
通过原子层沉积在所述金属表面上沉积氧化铝层,其中在所述沉积期间的最大处理温度是280℃,使得所述氧化铝层被形成为具有如下表面:所述表面有小于40°的液态焊料接触角。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,在所述沉积期间的处理温度在150°与280℃之间。
3.根据权利要求2所述的方法,
其中,所述处理温度在150℃与280℃之间的总持续时间多于30分钟。
4.根据权利要求3所述的方法,
其中,所述处理温度在150℃与280℃之间的所述总持续时间包括退火工艺。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法,
其中,所述氧化铝层包括质量百分比为至少5 wt%的铜。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法,
其中,所述液态焊料是无铅焊料。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法,
其中,所述液态焊料包括锡。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法,
其中,所述氧化铝层具有在1 nm与12 nm之间的厚度。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法,进一步包括:
在提供所述金属表面与沉积所述氧化铝层之间,从所述金属表面去除氧化物层。
10.根据权利要求9所述的方法,
其中,使用合成气体来去除所述氧化物层。
11.一种具有氧化铝层的金属表面,其包括:
包括金属的群组中的至少一种金属的金属表面,所述群组包括铜、铝、钯、镍、银及其合金;以及
沉积在所述金属表面上的氧化铝层,其中所述氧化铝层具有如下表面:所述表面有小于40°的液态焊料接触角。
12.根据权利要求11所述的具有氧化铝层的金属表面,
其中,所述氧化铝层具有在1 nm与12 nm之间的厚度。
13.根据权利要求11或12所述的具有氧化铝层的金属表面,
其中,所述氧化铝层包括质量百分比为至少5 wt%的铜。
14.根据权利要求11至13所述的具有氧化铝层的金属表面,
其中,所述液态焊料是无铅焊料。
15.根据权利要求11至14中的任一项所述的具有氧化铝层的金属表面,
其中,所述液态焊料包括锡。
16.一种电子器件,其包括:
根据权利要求10至14中的任一项所述的具有氧化铝层的金属表面;以及
金属接触结构,所述金属接触结构经由或者通过所述氧化铝层而导电接触所述金属表面。
17.根据权利要求16所述的电子器件,
其中,在所述金属接触结构与所述金属表面之间的导电接触是焊接的接触。
18.根据权利要求17所述的电子器件,
其中,所述焊接的接触包括无铅焊料。
19.根据权利要求17或18所述的电子器件,
其中,所述焊接的接触包括锡。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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