[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体衬底；以及

第一缓冲层，其形成于所述半导体衬底的背面即一个主面侧，具有从所述一个主面起的深度不同的多个质子的浓度的峰值，

对于所述第一缓冲层，从存在于靠近所述一个主面的位置的所述峰值朝向所述半导体衬底的表面即另一主面的所述质子的浓度的梯度，小于从存在于远离所述一个主面的位置的所述峰值朝向所述另一主面的所述质子的浓度的梯度，

所述一个主面相比于与该一个主面相对的所述另一主面靠近所述第一缓冲层，

对于所述第一缓冲层，最靠近所述一个主面侧的区域的所述质子的浓度小于或等于所述半导体衬底的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具有第二缓冲层，该第二缓冲层形成于所述第一缓冲层的所述一个主面侧。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二缓冲层的杂质是磷或砷。

4.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体衬底；

第一缓冲层，其形成于所述半导体衬底的背面即一个主面侧，具有从所述一个主面起的深度不同的多个质子的浓度的峰值；以及

第二缓冲层，其形成于所述第一缓冲层的所述一个主面侧，

对于所述第一缓冲层，从存在于靠近所述一个主面的位置的所述峰值朝向所述半导体衬底的表面即另一主面的所述质子的浓度的梯度，小于从存在于远离所述一个主面的位置的所述峰值朝向所述另一主面的所述质子的浓度的梯度，

所述一个主面相比于与该一个主面相对的所述另一主面靠近所述第一缓冲层，

所述第二缓冲层的杂质是磷或砷。

5.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，

从各所述峰值朝向所述另一主面的所述质子的浓度的梯度小于或等于2.0E14cm³/μm。

6.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，

对于所述第一缓冲层，各所述质子的浓度的峰值从所述一个主面朝向所述半导体衬底的另一主面而变小。

7.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一缓冲层具有大于或等于3个各所述质子的浓度的峰值。

8.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，

对于所述第一缓冲层，从所述一个主面起的深度大于或等于20μm。

9.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置是绝缘栅型双极晶体管或二极管。

10.一种半导体装置的制造方法，其是权利要求1或4所述的半导体装置的制造方法，

该半导体装置的制造方法的特征在于，

所述第一缓冲层是通过使用离子注入机，以小于或等于1.5MeV的不同的加速电压且不同的注入角度进行多次离子注入而形成的。

11.一种半导体装置的制造方法，其是权利要求1或4所述的半导体装置的制造方法，

该半导体装置的制造方法的特征在于，

所述第一缓冲层是通过隔着将所述半导体衬底的所述一个主面侧的应形成所述第一缓冲层的区域遮蔽的遮蔽物，使用离子注入机以小于或等于1.5MeV的不同的加速电压进行多次离子注入而形成的。

12.一种半导体装置的制造方法，其是权利要求4所述的半导体装置的制造方法，

该半导体装置的制造方法的特征在于，

所述第一缓冲层是通过由炉内退火使所述质子激活而形成的，

所述第二缓冲层是通过由激光退火使所述磷或所述砷激活而形成的。