[发明专利]形成导电插塞的方法

权利要求书

1.一种形成导电插塞的方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区被介质层覆盖；

刻蚀所述介质层以形成具有部分裸露所述第一掺杂区的第一接触孔和部分裸露所述第二掺杂区的第二接触孔；

通过所述第一接触孔和所述第二接触孔向所述第一掺杂区和所述第二掺杂区注入第一掺杂类型的掺杂剂，以增加所述第一掺杂区表面的掺杂浓度；

在注入所述掺杂剂后，在所述第一接触孔和所述第二接触孔中填充导电材料以形成导电插塞，

其中，在无需增加掩膜的情况下，通过控制所述第一掺杂剂的掺杂浓度减小其对所述第二掺杂区表面离子的影响。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述衬底上分别形成具有第二掺杂类型的第一阱区和具有第一掺杂类型的第二阱区，其中，所述第一掺杂区位于所述第一阱区中，所述第二掺杂区位于所述第二阱区中。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在填充所述导电材料之后，在所述导电材料表面淀积金属以形成互连线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料与所述第一掺杂区表面接触形成第一接触电阻，与所述第二掺杂区表面接触形成第二接触电阻。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过控制所述第一掺杂类型的掺杂剂的掺杂浓度以使得所述第一接触电阻减小，而所述第二接触电阻基本保持不变。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一接触电阻减小的幅度大于所述第二接触电阻增加的幅度。

7.根据权利要求5所述的方法，所述第一掺杂类型的掺杂剂的掺杂浓度越大，所述第一接触电阻越小。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，注入所述第一掺杂类型的掺杂剂掺杂浓度为所述第一掺杂区掺杂浓度的3％-20％。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，注入所述第一掺杂类型的掺杂剂掺杂浓度为所述第二掺杂区掺杂浓度的3％-20％。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，控制所述第一掺杂类型的掺杂剂的能量使注入深度位于所述第一掺杂区表面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一掺杂类型的掺杂剂的注入能量为所述第一掺杂区注入能量的80％-100％。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一掺杂类型的掺杂剂的注入能量为所述第二掺杂区注入能量的80％-100％。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料为钨或铝。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，在填充所述导电材料之前，在所述第一接触孔和所述第二接触孔淀积一层Ti/TiN，以形成所述导电材料和所述第一接触孔和所述第二接触孔的粘结层。

15.根据权利要求1所述的方法，所述第一掺杂类型为n型或p型的一种，所述第二掺杂类型为n型或p型的另一种。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掺杂区为MOS器件的漏源区。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二掺杂区为MOS器件的漏源区。