[发明专利]量子级联激光器

说明书

本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器，包括：衬底，所述衬底包括衬底端面；半导体层叠体，所述半导体层叠体具有在轴向方向上延伸的层叠体端面和芯；第一电极，所述第一电极被设置在半导体层叠体上；第二电极，所述第二电极被设置在衬底的背表面上；绝缘膜，所述绝缘膜被设置在层叠体端面和第一电极上；以及第一金属膜，所述第一金属膜被设置在层叠体端面、绝缘膜和第一电极上，绝缘膜位于第一金属膜与半导体层叠体之间。衬底端面和层叠体端面沿着与轴向方向交叉的参考平面延伸。衬底端面具有布置在从衬底的背表面到主表面的方向上的第一区和第二区，并且第一金属膜具有在第二区上的端部。

技术领域

本发明涉及量子级联激光器。本申请要求于2017年6月22日提交的日本专利申请No.2017-122339的优先权的权益，其通过引用整体地并入在本文中。

背景技术

非专利文献(S.R.Darvish等人High-power,continuous-wave operation ofdistributed-feedback quantum-cascade lasers atλ7.8μm,Applied Physics Letters89,251119,2006)公开一种量子级联激光器。

发明内容

根据本发明的一个方面的量子级联激光器包括：衬底，所述衬底包括主表面、背表面和衬底端面，主表面和背表面被布置在第一方向上，主表面与背表面相反，衬底端面与第二方向交叉，并且第二方向与第一方向交叉；半导体层叠体，所述半导体层叠体被设置在衬底的主表面上，半导体层叠体具有层叠体端面，并且半导体层叠体包括在第二方向上从层叠体端面延伸的芯层和设置在芯层上的包覆层，衬底端面和层叠体端面沿着与第二方向交叉的参考平面延伸；第一电极，所述第一电极被设置在半导体层叠体上；第二电极，所述第二电极被设置在衬底的背表面上；绝缘膜，所述绝缘膜被设置在层叠体端面和第一电极上；以及第一金属膜，所述第一金属膜被设置在层叠体端面、绝缘膜和第一电极上，绝缘膜位于第一金属膜与半导体层叠体之间，半导体层叠体和衬底被设置在第一电极与第二电极之间，衬底端面具有第一区和第二区，第一区和第二区被布置在从衬底的背表面到其主表面的方向上，并且第一金属膜具有在第二区上的端部。

附图说明

根据参考附图进行的本发明的优选实施例的以下详细描述，本发明的上述目的及其它目的、特征和优点将变得更显而易见。

图1是示出根据实施例的被管芯接合的量子级联半导体激光器的立体图。

图2是示出如图1中所示的量子级联半导体激光器的放大立体图。

图3是沿着图1中所示的线III-III截取的横截面图。

图4A是示出用于制作根据该实施例的图1中所示的量子级联半导体激光器的方法中的主要工艺的示意图。

图4B是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图4C是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图5A是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图5B是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图5C是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图6是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图7A是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图7B是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图8A是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图8B是示出根据该实施例的方法中的主要工艺的示意图。

图9是示出另一量子级联半导体激光器的立体图。