[发明专利]具扩散阻障层及抗侵蚀层的多层涂层

权利要求书

1.一种多层涂层，包含：

扩散阻障层，选自由TiN_x、TaN_x、Zr₃N₄和TiZr_xN_y所组成的群组；及

抗侵蚀层，包含YZr_xO_y，其中所述抗侵蚀层覆盖所述扩散阻障层。

2.如权利要求1所述的多层涂层，其中所述扩散阻障层具有范围从10nm至100nm的厚度，并且其中所述抗侵蚀层具有至多1微米的厚度。

3.如权利要求1所述的多层涂层，其中所述多层涂层能耐受从20℃至450℃的温度循环而不会破裂。

4.一种用于形成多层涂层的方法，包含：

将扩散阻障层沉积至制品的表面上，其中所述扩散阻障层利用第一沉积工艺沉积，所述第一沉积工艺选自由原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)所组成的群组，其中所述扩散阻障层选自由TiN_x、TaN_x、Zr₃N₄和TiZr_xN_y所组成的群组；及

将抗侵蚀层沉积至所述扩散阻障层上，其中所述抗侵蚀层利用第二沉积工艺沉积，所述第二沉积工艺选自由ALD、PVD和CVD所组成的群组，其中所述抗侵蚀层包含YZr_xO_y。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一沉积工艺和所述第二沉积工艺都是ALD、都是PVD或都是CVD。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述扩散阻障层是TiN_x，其中所述扩散阻障层经由ALD或CVD由至少一种Ti前驱物沉积，所述Ti前驱物选自由双(二乙基氨基)双(二甲基氨基)钛(IV)、四(二乙基氨基)钛(IV)、四(二甲基氨基)钛(IV)、四(乙基甲基氨基)钛(IV)、溴化钛(IV)、氯化钛(IV)和叔丁醇钛(IV)所组成的群组。

7.如权利要求4所述的方法，其中所述扩散阻障层是TaN_x，其中所述扩散阻障层经由ALD或CVD由至少一种Ta前驱物沉积，所述Ta前驱物选自由五(二甲基氨基)钽(V)、氯化钽(V)、乙醇钽(V)和三(二乙基氨基)(叔丁基亚胺基)钽(V)所组成的群组。

8.如权利要求4所述的方法，其中：

所述扩散阻障层是TiZr_xN_y；

所述扩散阻障层经由ALD或CVD由至少一种Ti前驱物和至少一种Zr前驱物沉积；

所述至少一种Ti前驱物选自由双(二乙基氨基)双(二甲基氨基)钛(IV)、四(二乙基氨基)钛(IV)、四(二甲基氨基)钛(IV)、四(乙基甲基氨基)钛(IV)、溴化钛(IV)、氯化钛(IV)和叔丁醇钛(IV)所组成的群组；及

所述至少一种Zr前驱物选自由溴化锆(IV)、氯化锆(IV)、叔丁醇锆(IV)、四(二乙基氨基)锆(IV)、四(二甲基氨基)锆(IV)和四(乙基甲基氨基)锆(IV)所组成的群组。

9.如权利要求4所述的方法，其中：

所述抗侵蚀层经由ALD或CVD由至少一种Y前驱物和至少一种Zr前驱物沉积。

10.如权利要求9所述的方法，其中：

所述至少一种Y前驱物选自由三(N,N-双(三甲基硅基)酰胺)钇(III)、丁醇钇(III)、三(环戊二烯基)钇(III)和Y(thd)3(thd＝2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)所组成的群组；及

所述至少一种Zr前驱物选自由溴化锆(IV)、氯化锆(IV)、叔丁醇锆(IV)、四(二乙基氨基)锆(IV)、四(二甲基氨基)锆(IV)和四(乙基甲基氨基)锆(IV)所组成的群组。