[发明专利]一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置

说明书

本发明公开了一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置。所述方法包括：在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵，对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理。本发明提供的过擦除处理方法，将大量处于过擦除状态的存储单元依次经过至少一次预弱编程处理，使处于过擦除状态的存储单元电性特性尽量收敛，再执行完整弱编程操作，这样处理过程中弱编程电流将会明显降低，弱编程的效率也会大幅提高，能够节省弱编程时间，从而节省了芯片的擦除时间。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器擦除技术领域，特别涉及一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置。

背景技术

在非易失性存储器产品测试和使用过程中，都会进行电擦除操作，随着制造工艺的日益更新迭代，可以支持的同时擦除的非易失性存储单元越来越多，由于存储单元的电性特征不一，同时，为了加快擦除步骤的过程，一般都会施加比较强的擦除条件来进行擦除，为了使数目众多的非易失性存储单元都满足已擦除好的条件，在这种情况下，必然存在一些存储单元出现过擦除的状态。

通常情况下，在擦除操作过程中，需要对过擦除的存储单元做弱编程操作把处于过擦除状态的存储单元编程到正常的擦除状态，以完成整个存储器的擦除操作，传统过擦除处理方法的操作流程如下：

1：在已擦除存储单元列阵的第一根字线上施加一个检查是否需要弱编程的处理电压Vspgm_check，处于同一存储单元阵列的其他未选中字线施加零电压；

2：检查施加Vspgm_check电压的字线上所有存储单元的阈值电压是否大于或等于Vspgm_check，如果是，则结束当前字线上的检查操作，进入到下一个字线上的存储单元检查工作，反之，记录下阈值电压小于Vspgm_check的存储单元的位线地址，并对检查后阈值电压小于Vspgm_check的存储单元进行弱编程操作，直至该字线上的储存单元均恢复到正常的擦除状态；

3：对下一根字线重复上述步骤1和2的检测和弱编程操作，直至储存单元列阵中每根字线的储存单元都恢复到正常的擦除状态。

然而，由于储存单元列阵前排字线上过擦除状态比后面过擦除状态严重一些，传统的过擦除处理方法需要先将前排过擦除状态严重的字线先处理好后，再处理后排字线，这样过擦除状态处理效率低下，致使存储器的擦除操作时间长，难以满足现有存储器的高速数据存储操作需求。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法，所述方法包括：

在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵；

对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，所述预弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行一次弱编程处理；

对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理，所述完整弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行至少一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行至少一次弱编程处理，直至每根字线都通过过擦除状态检测。

在本发明实施例上述的过擦除处理方法中，对所选的储存单元列阵中字线进行过擦除状态检测，包括：

为所选的储存单元列阵中的字线上施加一个过擦除检测电压，并为所选的储存单元列阵中其他未施加过擦除检测电压的字线施加一个防漏电电压；

依次检测施加有过擦除检测电压的字线上每个储存单元的阀值电压是否小于或等于过擦除检测电压；