[发明专利]一种晶体提拉生长装置在审
| 申请号： | 201810638187.6 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110616455A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;陈燕平;卢秀爱;陈卫民;林磊 | 申请（专利权）人： | 福州高意光学有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30;C30B29/30 |
| 代理公司： | 35211 福州君诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 搅拌腔 多晶 熔体 提拉法生长 矩形晶体 生长腔 大尺寸晶体生长 提拉生长装置 铂金材料 旋转搅拌 环流 搅拌杆 矩形状 热分布 圆形状 铂金 外设 连通 盛装 生长 应用 | ||
1.一种晶体提拉生长装置，应用于盛装多晶熔体以进行提拉法生长矩形晶体，其特征在于：其包括由铂金材料制成的主体，所述主体上设有用于搅拌多晶熔体的搅拌腔，搅拌腔的横截面呈圆形状，搅拌腔的一侧连通设有横截面呈矩形状的生长腔，搅拌腔内的多晶熔体由外设的铂金搅拌杆进行旋转搅拌，以带动生长腔内的多晶熔体形成矩形环流用于提拉法生长矩形晶体。
2.根据权利要求1所述的一种晶体提拉生长装置，其特征在于：所述搅拌腔的另一侧连通设有用于投放多晶熔体的投料腔。
3.根据权利要求2所述的一种晶体提拉生长装置，其特征在于：所述投料腔的横截面呈矩形状或者圆形状。
4.根据权利要求2所述的一种晶体提拉生长装置，其特征在于：所述投料腔与搅拌腔之间设有用于控制多晶熔体进入搅拌腔流量及流速的通道。
5.根据权利要求2所述的一种晶体提拉生长装置，其特征在于：所述主体上设有用于启闭投料腔、搅拌腔和生长腔的保温盖，保温盖上设有供多晶熔体投入投料腔的投料孔、供铂金搅拌杆伸入搅拌腔的搅拌孔以及供外设提拉杆伸入生长腔的提拉孔。
6.根据权利要求1所述的一种晶体提拉生长装置，其特征在于：所述铂金搅拌杆可升降的设置在马弗炉内，铂金搅拌杆上可拆卸安装有多个铂金搅拌叶。
7.根据权利要求1所述的一种晶体提拉生长装置，其特征在于：所述矩形晶体为KTN晶体或者KTP晶体。
8.根据权利要求1所述的一种晶体提拉生长装置，其特征在于：所述搅拌腔和生长腔的容积比大于0.5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州高意光学有限公司，未经福州高意光学有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810638187.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
