[发明专利]一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201810638529.4 | 申请日: | 2018-06-20 |
公开(公告)号: | CN108831914B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括多个像素区域、以及位于所述像素区域之间的非像素区域,在所述像素区域具有位于衬底基板上的反射阳极,在所述非像素区域具有位于所述衬底基板上的支撑部以及位于所述支撑部上的反射部,相邻的所述反射阳极与所述反射部断开,且相邻的所述反射阳极和所述反射部在所述衬底基板的正投影连续;
所述非像素区域还包括位于所述反射部上的像素界定层;所述显示面板还包括:位于所述像素界定层上且覆盖所述反射阳极与所述反射部的阴极;位于所述反射部上的像素界定层具有开口,且所述开口在所述衬底基板的正投影的面积小于所述反射部在所述衬底基板的正投影的面积。
2.如权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述支撑部中靠近所述反射部的表面在所述衬底基板的正投影的面积大于靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板的正投影的面积。
3.如权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述支撑部为两个,其中靠近所述反射部的支撑部在所述衬底基板的正投影的面积大于靠近所述衬底基板的支撑部在所述衬底基板的正投影的面积。
4.如权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,靠近所述衬底基板的支撑部的材料为SiOx,靠近所述反射部的支撑部的材料为SiNx。
5.如权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括与所述衬底基板相对设置的封装盖板,以及位于所述封装盖板朝向所述衬底基板一侧的隔垫物层,所述隔垫物层在所述衬底基板的正投影位于所述开口内。
6.如权利要求5所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括:辅助电极和导电层;其中所述辅助电极位于所述隔垫物层与所述封装盖板之间,所述辅助电极在所述衬底基板的正投影的面积大于所述隔垫物层在所述衬底基板的正投影的面积,所述导电层与所述辅助电极电连接且覆盖所述隔垫物层和所述封装盖板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的有机发光显示面板。
8.一种如权利要求1-6任一项所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的非像素区域形成支撑部;
同时在衬底基板的像素区域形成反射阳极、在所述非像素区域形成反射部;其中,相邻的所述反射阳极与所述反射部断开,且相邻的所述反射阳极与所述反射部在所述衬底基板的正投影连续;
在所述反射部上形成具有开口的像素界定层;其中,所述开口在所述衬底基板的正投影的面积小于所述反射部在所述衬底基板的正投影的面积;
在所述像素界定层上形成盖所述反射阳极与所述反射部的阴极。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底基板的非像素区域形成支撑部具体包括:
在衬底基板的非像素区域连续形成至少两层绝缘层薄膜;其中各所述绝缘层薄膜的材料不同;
对靠近所述反射部的绝缘层薄膜进行干法刻蚀工艺形成靠近所述反射部的支撑部的图形;
以靠近所述反射部的支撑部的图形为掩膜,对靠近所述衬底基板的绝缘层薄膜进行湿法刻蚀工艺形成靠近所述衬底基板的支撑部的图形;其中靠近所述反射部的支撑部在所述衬底基板的正投影的面积大于靠近所述衬底基板的支撑部在所述衬底基板的正投影的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的