[发明专利]光刻用护层膜和护层在审
| 申请号： | 201810641096.8 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN109116676A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 簗濑优 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 护层 光刻 聚合物膜 不透气层 伸展 | ||
【权利要求书】：
1.光刻用护层膜，包括：
聚合物膜；和
在该聚合物膜的一侧或两侧上形成的不透气层，
使该护层膜在护层框的一个端面上方伸展。
2.根据权利要求1所述的光刻用护层膜，其中
对于NH3气和SO2气，该不透气层具有1.0×10-12cm3·cm/cm2·s·cmHg或更小的透气系数，其通过差压法由透气性试验确定。
3.根据权利要求1所述的光刻用护层膜，其中
该不透气层为含有石墨烯的层。
4.根据权利要求1所述的光刻用护层膜，其中
该不透气层的厚度为0.2-1nm，并且占该护层膜的总厚度的0.02-1％。
5.根据权利要求3所述的光刻用护层膜，其中
该不透气层中含有的石墨烯的层数为1-3层。
6.根据权利要求1所述的光刻用护层膜，其中
该聚合物膜为含有氟树脂的膜。
7.根据权利要求1所述的光刻用护层膜，其中
该不透气层对于曝光光具有70％或更大的透射率。
8.根据权利要求1所述的光刻用护层膜，其中
整个护层膜对于曝光光具有70％或更大的透射率。
9.根据权利要求7所述的光刻用护层膜，其中
该曝光光选自g线、i线、KrF准分子激光、ArF准分子激光和EUV光。
10.光刻用护层，包括：
护层框；和
在该护层框的一个端面上方伸展的护层膜，
该护层膜是根据权利要求1所述的护层膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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