[发明专利]显示基板及制备方法、黑矩阵材料的制备方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201810644554.3 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN108761893B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 吉强;唐文浩;尹海斌;钟国强;吴伟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 林祥
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 制备 方法 矩阵 材料 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,其特征在于,包括:

衬底;

黑矩阵图形,所述黑矩阵图形位于所述衬底上,且呈网格状分布;

所述黑矩阵图形由遮光纳米微粒形成;

所述遮光纳米微粒为钛黑纳米微粒;

所述黑矩阵图形包括多条沿第一方向延伸的第一遮光线和多条沿第二方向延伸的第二遮光线,所述第一方向和所述第二方向交叉设置;所述遮光线的宽度范围为2微米至7微米;

所述钛黑纳米微粒用于均匀分散在分散液中,形成液态遮光纳米颜料;所述液态遮光纳米颜料用于形成所述黑矩阵图形,所述液态遮光纳米颜料形成黑矩阵图形的过程包括:在所述衬底上采用所述液态遮光纳米颜料形成网格状预图形,对所述网格状预图形进行烘干处理,得到黑矩阵图形;其中,对所述网格状预图形进行烘干处理,包括:将所述网格状预图形加热第三时间,使所述网格状预图形中的各条第一宽度遮光线中的分散液蒸发,并且各条所述第一宽度遮光线中的遮光纳米微粒向所述第一宽度遮光线的两侧边缘聚集,使每条所述第一宽度遮光线变成间隔的两条相邻的第二宽度遮光线,形成由遮光纳米微粒制成的呈网状分布的黑矩阵图形,所述第二宽度小于所述第一宽度。

2.一种黑矩阵材料的制备方法,其特征在于,包括:

制备遮光纳米微粒;

将所述遮光纳米微粒均匀分散在分散液中,形成液态遮光纳米颜料;

所述遮光纳米微粒为钛黑纳米微粒;所述液态遮光纳米颜料用于形成黑矩阵图形,所述黑矩阵图形包括多条沿第一方向延伸的第一遮光线和多条沿第二方向延伸的第二遮光线,所述第一方向和所述第二方向交叉设置;所述遮光线的宽度范围为2微米至7微米;

所述液态遮光纳米颜料形成黑矩阵图形的过程包括:在衬底上采用所述液态遮光纳米颜料形成网格状预图形,对所述网格状预图形进行烘干处理,得到黑矩阵图形;其中,对所述网格状预图形进行烘干处理,包括:将所述网格状预图形加热第三时间,使所述网格状预图形中的各条第一宽度遮光线中的分散液蒸发,并且各条所述第一宽度遮光线中的遮光纳米微粒向所述第一宽度遮光线的两侧边缘聚集,使每条所述第一宽度遮光线变成间隔的两条相邻的第二宽度遮光线,形成由遮光纳米微粒制成的呈网状分布的黑矩阵图形,所述第二宽度小于所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述遮光纳米微粒为钛黑纳米微粒,所述制备遮光纳米微粒包括:

将二氧化钛粉末在第一温度下发生还原反应第一时间得到钛黑粉末;

逐步将所述第一温度降低至第二温度,使所述钛黑粉末结晶变成结晶态钛黑纳米微粒;

在第三温度下对所述结晶态钛黑纳米微粒进行真空干燥第二时间后,在第四温度下对所述结晶态钛黑纳米微粒进行冷却以形成颗粒状的钛黑纳米微粒。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述将所述遮光纳米微粒均匀分散在分散液中,形成液态遮光纳米颜料包括:

将所述遮光纳米微粒放入分散液中;

通过超声振动方式对所述分散液进行振动处理,使所述遮光纳米微粒均匀分散在分散液中,形成液态遮光纳米颜料。

5.根据权利要求2-4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述分散液为水、乙醇和水溶性分散剂的混合溶液。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述水溶性分散剂在所述分散液中的质量百分比大于等于2%且小于等于3%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810644554.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top