[发明专利]一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板

说明书

本发明涉及一种空穴注入材料，包括具有式(I)的结构的化合物和/或具有式(I)的结构的化合物的金属络合物：R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈均各自独立地选自吸电子基团、氢原子、非吸电子基团；且R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈至少一项为吸电子基团；n为0～3的整数。本发明提供了一种空穴注入材料，其具有交叉共轭的结构，同时接枝有吸电基团配合交叉共轭体系，接受电子的区域能够扩展至更大范围，此时，大量电子从空穴传输材料的HOMO跳至掺杂材料的LUMO能级，使得空穴传输材料形成更多的自由空穴，从而提高了器件的电导率；同时本发明提供的空穴注入材料具有良好的非平面特征，能够防止结晶效应的发生，提高器件的出光效率。

技术领域

本发明属于有机发光二极管制备领域，具体涉及一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板和电子设备。

背景技术

OLED显示屏是利用有机电致发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光，对比度高、厚度薄、响应速度快、可制成柔性面板，构造简单等优异特性，被认为是下一代的平面显示技术。OLED器件的结构一般为：阴极(Cathode)/电子注入层(EIL)/电子传输层(ETL)/发光层(EML)/空穴传输层(HTL)/空穴注入层(HIL)/阳极(Anode)。能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，OLED器件的一般结构，大多使用ITO作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。

将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径。不过该方法对于主体材料以及掺杂材料的能级有要求，一般而言，主体材料的HOMO能级需要与客体材料的LUMO能级接近，这样一来，HOMO能级的电子就能更跳跃至掺杂剂的LUMO能级，从而使的空穴传输层形成自由空穴，实现器件电导率的提升。同时，掺杂还可以使界面能带发生弯曲，空穴就能够以穿隧的方式注入。

本领域需要开发一种具有较强还原电位，空穴注入性能优异，且与空穴传输层能级匹配的空穴注入层。

发明内容

本发明的目的在于提供一种空穴注入材料，所述空穴注入材料包括具有式(I)的结构的化合物：

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈均各自独立地选自吸电子基团、氢原子、非吸电子基团；且R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈至少一项为吸电子基团；

n为1～3的整数，例如1、2、3等。

本发明提供的空穴注入材料，具有交叉共轭的结构，且所述交叉共轭的结构上必须具有吸电子基团，吸电子基团能够赋予所述空穴注入材料还原电位，实现辅助空穴传输层进行空穴注入的目的。

本发明提供的空穴注入材料具有良好的非平面特性，能够有效防止结晶效应的发生。

所述交叉共轭的结构可以理解为“在共轭体系中，两个共轭系统分别与第三个π键体系共轭，但这两个共轭系统互不共轭，称为交叉共轭体系”。