[发明专利]解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片

权利要求书

1.一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，按照排程放料作业；

砷化镓晶圆背面磨片减薄；

中测，是将砷化镓晶圆进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆；

砷化镓晶圆背面贴DAF膜；

紫外光照射，固化DAF膜；

砷化镓晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片和所述DAF膜贴合在金属环内基膜表面；

包装固定在金属环内基膜表面上的已切割晶圆，运送至封装厂；

贴装砷化镓芯片到框架贴片区；

烤箱固化，使所述DAF膜固化为玻璃态；

完成封装后续流程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高洁净度晶圆库为100级洁净度晶圆库。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆背面磨片减薄，需放置在蓝宝石平台作业；所述砷化镓晶圆背面磨片减薄的厚度为150um，偏差在±8um内。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆衬底砷化镓材料为单晶硅质，脆性易碎。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆背面贴DAF膜，包括如下步骤：

先将固定在卷筒上的DAF膜安置在贴装机固定位置；

通过固定滚轮将DAF膜与保护膜压合在砷化镓晶圆背面，所述滚轮通过气缸来控制，所述气缸的力的大小可以人为进行调节；针对150um厚度的单晶硅质砷化镓晶圆，滚轮压合力需保持在0.25Mpa到0.35Mpa之间，既能确保DAF膜与晶圆有效压合，又不使砷化镓晶圆被压裂；

压合完成后，将贴敷于DAF膜上的保护膜水平反向分离撕下；

固定DAF砷化镓晶圆，将砷化镓晶圆背面外露DAF膜的一面再次固定贴敷于金属保护环的基膜上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆切割划片，需要利用波长为355nm的激光在砷化镓晶圆正面切割道位置进行三次激光切割；形成一颗颗孤立的芯片和DAF膜贴合在基膜表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述贴装芯片到框架贴片区，包括如下步骤：

将晶圆固定金属环加固在装片设备特定位置并顶起环内贴有芯片的基膜；

通过顶针将单颗芯片背部顶起；

芯片上方塑性真空吸嘴分拾芯片传送至金属铜框架贴芯片位置，完成芯片与铜框架的初步贴合。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烤箱固化，是将贴有芯片的铜框架传送至高温烤箱内经过130度20分钟左右恒温烘烤。

9.一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜芯片，其特征在于，所述砷化镓芯片背面贴有DAF膜，局部DAF膜与金属铜框架支撑脚贴合，局部DAF膜处于悬空状态。

10.根据权利要求9所述的无源器件砷化镓贴膜芯片，其特征在于，所述砷化镓芯片厚度为150um，偏差在±8um内。