[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201810645011.3 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN109104807B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 林大辅;金子健吾;小泉克之 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,具有设置于进行等离子体处理的处理容器外并且经由线路而与所述处理容器内的规定的电构件电连接的外部电路,通过设置在所述线路上的滤波器来减弱或阻止从所述电构件朝向所述外部电路进入所述线路的噪声,所述电构件是发热体,该发热体设置于被施加规定频率的高频以进行等离子体处理的高频电极的内部或周围,或者所述电构件为设置在支承被处理基板的载置台中的高频电极,

所述等离子体处理装置的特征在于,

所述滤波器具有:

线圈,其具有固定的口径和固定的线圈长度,具有利用所述线圈的至少一个卷线间隙来限定的有效区间,并且所述卷线间隙被限定在所述线圈的卷线的两个顺序设置的单匝线圈之间;

筒形的外导体,其收容或包围所述线圈,与所述线圈组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路;以及

可动件,其针对各所述有效区间设置,其中通过在所述线圈的长度方向移动该可动件来改变所述卷线间隙,其中至少一个特定的并联谐振频率由于所述卷线间隙的改变而在所述滤波器的频率-阻抗特性中向高频区域侧或低频区域侧移位。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,

针对所述有效区间内的卷线的各单匝线圈,以相对于彼此相邻的单匝线圈改变在卷线的周向上的配置位置的方式设置有所述可动件。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述可动件由绝缘材质形成。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

针对所述有效区间内的卷线的各单匝线圈,在卷线的周向上以规定的角度差设置有多个所述可动件,所述可动件对各单匝线圈同步地进行变更卷线间隙的动作。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,

针对所述有效区间内的卷线的各单匝线圈,在卷线的周向上以180°的角度差设置有两个所述可动件、或者在卷线的周向上以120°的角度差设置有三个所述可动件。

6.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

针对成为所述有效区间的两端的卷线的单匝线圈分别设置有所述可动件。

7.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

向所述可动件传递动力的动力传递部由陶瓷系或玻璃系的材料形成。

8.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述等离子体处理装置还具有动力部,所述动力部经由直线运动机构而与所述可动件连接,所述动力部使所述可动件动作,并且检测所述可动件的位置。

9.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,还具有:

存储部,其将间隙信息与所述噪声的频率或在等离子体处理中施加的交流电力的频率对应地存储,所述间隙信息是表示产生适于减弱或阻止噪声的并联谐振频率的所述线圈的各个卷线间隙的信息;以及

控制部,其基于所述存储部中存储的间隙信息来控制所述可动件,使得卷线间隙成为与进入所述线路的噪声的频率或在等离子体处理中施加的交流电力的频率对应的卷线间隙。

10.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

在所述线圈中,针对特定的N阶的所述并联谐振频率存在N个所述有效区间,其中,N为自然数。

11.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述电构件是所述发热体,所述外部电路是用于向所述发热体供给发热用的电力的加热器电源,

所述线路是将所述加热器电源与所述发热体电连接的供电线。

12.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述电构件为设置在支承被处理基板的载置台中的所述高频电极,

所述外部电路包括用于向所述高频电极供给使用于等离子体处理的高频的高频电源,

在所述线路上设置用于在所述高频电源与等离子体负载之间取得阻抗的匹配的匹配电路。

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