[发明专利]Semi-Z源单相逆变器的调制方法有效

专利信息
申请号: 201810645257.0 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN108809130B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 李宁;张岩;聂程 申请(专利权)人: 西安理工大学;西安交通大学
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 涂秀清
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: semi 单相 逆变器 调制 方法
【说明书】:

发明公开的Semi‑Z源单相逆变器的调制方法,首先建立Semi‑Z源逆变器电路拓扑的线性调制算法;其次,根据调制算法要求确定Semi‑Z源逆变器电路拓扑中的电容的电压值,确定电感电流纹波与电容电压纹波的关系;然后,根据调制算法要求,结合得出的电感电流纹波与电容电压纹波的关系,求解电感的电感值需求;最后,结合电容电压和电感值需求代入建立的调制算法中,分别求解开关的占空比,根据占空比确定开关的通断状态。本发明公开的调制方法突破了原有方法仅适用于小功率场合、较低输出频率的限制,使该逆变器拓扑同样具有驱动重载、输出中频交流的能力,降低开关器件的电压应力,实现控制信号与输出的线性化易于控制器设计。

技术领域

本发明属于电力电子技术领域,涉及一种Semi-Z源单相逆变器的调制 方法。

背景技术

电压源逆变器同一个桥臂的上下功率开关不能同时开通,否则会造成短 路现象的发生,从而损坏逆变器,因此需在上下桥臂的开关信号之间加入死 区时间,但死区时间的加入又会带来输出波形的畸变。另一方面,逆变器输 出电压低于直流输入电压,在输入电压较低或变化范围较大的场合下,需要 在前级加一级升压变换器,导致系统整体结构复杂、效率变低。Z源逆变器 可克服电压源逆变器的上述不足,为功率逆变技术提供了一种新的变换器拓 扑和理论。

近年来,国内外很多学者开展了对Z源逆变器的研究,研究内容主要 包括Z源逆变器的工作原理和调制方法、Z源逆变器的建模与控制及Z源 逆变器的应用等方面。但传统的Z源逆变器拓扑存在以下缺陷:(1)Z源 网络电容电压较高,为实现升压的功能,电容电压大于输入电压,导致电容 体积与实现成本较高;(2)变换器存在启动冲击问题,不具有抑制启动冲击 的能力,从而损坏变换器。因此许多学者对Z源逆变器进行了改进,提出了 许多新型的拓扑。随着新型Z源逆变器拓扑的产生,不同的调制和控制策略 也随之被提出,Semi-Z源/准Z源逆变器仅使用两个有源器件来实现与全桥 逆变器相同的交流输出,具有实现更低成本及更高效率的潜力,同时,拓扑 中输入端与输出端实现了共地,能够有效减小共模电流,因此,这类逆变器 在分布式光伏阵列发电系统等应用中显示出了巨大潜力。但是,目前的 Semi-Z源单相逆变器的SPWM调制方法仅适用于输出电容值较小、轻载、 输出交流频率不高的应用场合,同时,由于调制信号与输出之间的非线性关 系,闭环设计也变得较为困难。

发明内容

本发明的目的是提供一种Semi-Z源单相逆变器的调制方法,解决了现 有Semi-Z源单相逆变器的SPWM调制方法仅适用于输出电容值较小、轻载、 输出交流频率不高的问题。

本发明所采用的技术方案是,Semi-Z源单相逆变器的调制方法,具体操 作步骤如下:

步骤1.建立Semi-Z源逆变器电路拓扑的线性调制算法模型;

步骤2.根据步骤1的调制算法要求,确定Semi-Z源逆变器电路拓扑中 的电容C1的电压值,确定电感L1电流纹波与电容C1电压纹波的关系;

步骤3.根据步骤1的调制算法要求,结合步骤2得出的电感L1电流纹 波与电容C1电压纹波的关系,求解电感L1的电感值需求;

步骤4.结合步骤2和步骤3的电容电压C1和电感值L1,代入步骤1建 立的调制算法模型中,分别求解开关S1和开关S2的占空比,根据占空比确 定开关S1和开关S2的通断状态。

本发明的其他特点还在于,

步骤1中线性算法模型的建立过程如下:

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