[发明专利]超声波识别电路和指纹识别传感器在审

专利信息
申请号: 201810645441.5 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN108596160A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 张千;高奇文 申请(专利权)人: 成都安瑞芯科技有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00
代理公司: 成都帝鹏知识产权代理事务所(普通合伙) 51265 代理人: 黎照西
地址: 610000 四川省成都市天府新区天*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电性连接 超声波识别 接收器 第一端 指纹识别传感器 控制电路 电路 外部 指纹识别技术 采集模块 外部电源 压电效应 超声波
【权利要求书】:

1.一种超声波识别电路,其用于接受外部的控制电路的控制,产生超声波并接收反射的超声波以产生电信号传输给采集模块,其特征在于:该超声波识别电路包括接收器Rx,三个TFT晶体管M1、M3和M4,所述接收器Rx具有压电效应,所述接收器Rx的第一端和外部的控制电路电性连接,所述接收器Rx的第二端同时和TFT晶体管M4的栅极、TFT晶体管M1的第一端电性连接,所述TFT晶体管M1的栅极、第二端都和外部的控制电路电性连接,所述TFT晶体管M4的第一端和外部电源Vcc电性连接,所述TFT晶体管M4的第二端和TFT晶体管M3的第一端电性连接,所述TFT晶体管M3的栅极和外部的控制电路电性连接,所述TFT晶体管M3的第二端与采集模块电性连接。

2.如权利要求1所述的超声波识别电路,其特征在于:所述超声波识别电路还包括TFT晶体管M2,TFT晶体管M2的第一端和TFT晶体管M3的第二端电性连接,所述TFT晶体管M2的栅极、第二端和外部的控制电路电性连接。

3.如权利要求2所述的超声波识别电路,其特征在于:所述超声波识别电路还包括TFT晶体管M5,所述TFT晶体管M3的第二端和TFT晶体管M5的第一端电性连接,所述TFT晶体管M5的栅极和外部的控制电路电性连接,所述TFT晶体管M5的第二端和采集模块电性连接。

4.如权利要求1所述的超声波识别电路,其特征在于:所述采集模块为硅基处理芯片。

5.如权利要求2所述的超声波识别电路,其特征在于:和所述TFT晶体管M1的漏极连接的外部的控制电路为补充能量电路,所述补充能量电路提供稳定的电压和/或电流。

6.如权利要求5所述的超声波识别电路,其特征在于:所述外部的控制电路给TFT晶体管M1的栅极提供接收器复位电平,所述TFT晶体管M1的源极和漏极电性导通,所述接收器Rx第二端的电压和补充能量电路提供的电压相等,之后所述外部的控制电路给所述接收器Rx的第一端提供短暂的脉冲信号,所述接收器RX产生超声波信号并发射出去,之后所述外部的控制电路给TFT晶体管M1的栅极提供门电压电平,超声波受到阻挡反射回来,所述接收器Rx收到超声波震荡产生震荡信号,所述震荡信号电压变低时,所述补充能量电路通过TFT晶体管M1给接收器Rx的第二端补充能量,接收器Rx的第二端电压变高,使外部电源Vcc的电信号通过TFT晶体管M4的漏极和源极的电流和/或电压变大,外部的控制电路为TFT晶体管M3的栅极提供高电平,所述TFT晶体管M3的源极和漏极导通,Vcc的电信号通过TFT晶体管M4和M3被给采集模块感测到,所述接收器复位电平的电压大于门电压电平的电压。

7.如权利要求6所述的超声波识别电路,其特征在于:所述外部的控制电路给TFT晶体管M1的栅极提供接收器复位电平时,外部控制电路给TFT晶体管M2的源极提供大小合适,且整个周期大小持续不变的电压,外部的控制电路给TFT晶体管M2的栅极提供一短暂的高电平,外部的补充能量电路始终给TFT晶体管M1的第二端提供整个周期大小持续不变的电压,外部电源Vcc持续给TFT晶体管M4的第一端提供整个周期大小持续不变的电流和/或电压,外部控制电路给TFT晶体管M1的栅极提供的电平为低电平,外部控制电路给接收器Rx第一端提供的电压Tx为稳定的电压,外部的控制电路给TFT晶体管M3的栅极提供的电平为低电平。

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