[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅基底的第一表面依次形成第一钝化层和第一掺杂层；

在所述第一掺杂层表面形成第一电介质保护层；

按预定图案利用激光刻蚀所述第一电介质保护层；

以图案化的第一电介质保护层为掩模除去所述第一钝化层和所述第一掺杂层露出所述硅基底层；

在所述图案化的第一电介质保护层和露出的硅基底层上形成图案化的第二钝化层和第二掺杂层；

在形成于所述硅基底层上的所述第二掺杂层上形成刻蚀阻挡层；

除去形成于所述图案化的第一电介质保护层上的所述第二钝化层和第二掺杂层；

除去所述图案化的第一电介质保护层和所述刻蚀阻挡层；

在图案化的第一掺杂层和第二掺杂层上形成第二电介质保护层；

按预定图案利用激光刻蚀所述第二电介质保护层；

以图案化的第二电介质保护层为掩模形成透明导电层；

在所述透明导电层上形成电极。

2.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅基底的第一表面依次形成第一钝化层和第一掺杂层；

在所述第一掺杂层表面形成第一电介质保护层；

按预定图案利用激光刻蚀所述第一电介质保护层；

以图案化的第一电介质保护层为掩模除去所述第一掺杂层露出所述第一钝化层；

在所述图案化的第一电介质保护层和露出的第一钝化层上形成图案化的第二掺杂层；

在形成于所述第一钝化层上的所述第二掺杂层上形成刻蚀阻挡层；

除去形成于所述图案化的第一电介质保护层上的所述第二掺杂层；

除去所述图案化的第一电介质保护层和所述刻蚀阻挡层；

在图案化的第一掺杂层和第二掺杂层上形成第二电介质保护层；

按预定图案利用激光刻蚀所述第二电介质保护层；

以图案化的第二电介质保护层为掩模形成透明导电层；

在所述透明导电层上形成电极。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述激光刻蚀是皮秒或者飞秒激光刻蚀。

4.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在与所述硅基底的第一表面相对的第二表面形成钝化减反层。

5.一种太阳能电池，其特征在于，由权利要求1-4任一方法制作。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层是P型掺杂非晶硅或微晶硅层，所述第二掺杂层是N型掺杂非晶硅或微晶硅层。

7.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层是N型掺杂非晶硅或微晶硅层，所述第二掺杂层是P型掺杂非晶硅或微晶硅层。

8.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的厚度是5nm-100nm。

9.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电介质保护层和第二电介质保护层包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。

10.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电介质保护层和第二电介质保护层的厚度是100nm-500nm。

11.如权利要求5所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述透明导电层包括ITO、AZO或BZO中的至少一种。

12.如权利要求5所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述金属电极包括银和铝中的至少一种。