[发明专利]发光元件

说明书

一种发光元件，包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上，且具有第一开口。透明电极位于第一遮光层上，且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上，且具有对应第一开口的第二开口。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。

技术领域

本发明是有关于一种发光元件，且特别是有关于一种具有遮光层的发光元件。

背景技术

在现有技术中，发光元件(例如显示面板)通常包括具有发光结构(例如发光二极管)的阵列基板以及相对于阵列基板的彩色滤光基板。由于显示面板中的发光结构发出的光线为球面光，因此相邻的发光结构容易互相干扰，并导致漏光与混光的问题。为了减少漏光与混光的问题，通常会增加设置于彩色滤光基板上的黑色矩阵(Black matrix,BM)的厚度，借此减少发光结构之间的互相干扰。然而，此举会导致显示面板的整体厚度上升增加，且改善混光的效果有限。因此，目前亟需一种能改善前述问题的方法。

发明内容

本发明提供一种发光元件，可以改善漏光与混光的问题。

本发明的至少一实施例提供一种发光元件，包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上，且具有第一开口。透明电极位于第一遮光层上，且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上，且具有对应第一开口的第二开口。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。

本发明的至少一实施例提供一种发光元件，包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上，且具有一第一开口。第一开口的深度约为4微米至10微米。透明电极位于第一遮光层上，且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上，且具有对应第一开口的第二开口。第二开口的深度约为0.5微米至2微米。第一开口朝向透明电极处的宽度W11与第二开口朝向透明电极处的宽度W21的关系为80％≦W21/W11≦130％。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间并接触于光转换层以及电致发光结构。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。

本发明的目的之一为，改善发光元件漏光的问题。

本发明的目的之一为，改善发光元件混光的问题。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本发明的一实施例的一种发光元件的上视示意图。

图1B是沿着图1A中剖面线AA’的剖面示意图。

图2是依照本发明的一实施例的一种发光元件的剖面示意图。

其中，附图标记：

10、20：发光元件

AA’：线

B1：第一遮光层

B1A：第一部分

B1B：第二部分

B2：第二遮光层

B3：第三遮光层

C：光转换层

CH1、CH2：通道层

CL：信号线

D1、D2：漏极