[发明专利]一种带有巴伦的上变频混频器有效
申请号: | 201810646233.7 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN109004905B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 张为;党艳杰 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 变频 混频器 | ||
1.一种带有巴伦的上变频混频器,设有输入巴伦单元、跨导单元、开关单元和自偏置的共模负反馈负载单元,中频信号通过输入巴伦单元变换成差分信号,输入巴伦单元的输出连接跨导单元,差分中频输入信号由跨导单元放大,输出至开关单元,与本振信号混频转变成射频信号,开关单元的输出连接自偏置的共模负反馈负载单元,利用共模负反馈进一步增强输出射频信号,差分射频输出信号从开关单元和自偏置的共模负反馈负载单元之间输出,其特征在于,所述输入巴伦单元包括:第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)和第四晶体管(M4);
其中,所述第一晶体管(M1)的栅极与第一晶体管(M1)的漏极连接、第三晶体管(M3)的漏极和第一电容(C1)的第一端连接;
所述第二晶体管(M2)的栅极与第二晶体管(M2)的漏极连接、第四晶体管(M4)的漏极和第二电容(C2)的第一端连接;
所述第四晶体管(M4)的栅极与第三晶体管(M3)的源极、中频输入端(IF)和第一电阻(R1)的第一端连接。
2.根据权利要求1所述的混频器,其特征在于,所述跨导单元包括:第五晶体管(M5)和第六晶体管(M6);
其中,所述第五晶体管(M5)的栅极与第一电容(C1)的第二端和第二电阻(R2)的第一端连接;
所述第六晶体管(M6)的栅极与第二电容(C2)的第二端和第三电阻(R3)的第一端连接。
3.根据权利要求2所述的混频器,其特征在于,所述开关单元包括:第七晶体管(M7)、第八晶体管(M8)、第九晶体管(M9)和第十晶体管(M10);
其中,所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电感(L2)的第二端、第四电容(C4)的第一端、第十晶体管(M10)的栅极和第五电阻(R5)的第一端连接;
所述第七晶体管(M7)的源极与第八晶体管(M8)的源极和第五晶体管(M5)的漏极连接;
所述第九晶体管(M9)的栅极与第八晶体管(M8)的栅极、第一电感(L1)的第二端、第三电容(C3)的第一端和第四电阻(R4)的第一端连接;
所述第九晶体管(M9)的源极与第十晶体管(M10)的源极和第六晶体管(M6)的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的混频器,其特征在于,所述自偏置的共模负反馈负载单元包括:第十一晶体管(M11)和第十二晶体管(M12);
其中,所述第十一晶体管(M11)的栅极与第十二晶体管(M12)的栅极、第六电阻(R6)的第二端和第七电阻(R7)的第二端连接;
所述第十一晶体管(M11)的漏极与第六电阻(R6)的第一端、第七电容(C7)的第二端、第五电容(C5)的第二端、第九晶体管(M9)的漏极和第十晶体管(M10)的漏极连接;
所述第十二晶体管(M12)的漏极与第七电阻(R7)的第一端、第八电容(C8)的第二端、第六电容(C6)的第二端、第七晶体管(M7)的漏极和第八晶体管(M8)的漏极连接。
5.根据权利要求4所述的混频器,其特征在于,
所述第一晶体管(M1)的源极、第二晶体管(M2)的源极、第十一晶体管(M11)的源极、第十二晶体管(M12)的源极、第七电容(C7)的第一端和第八电容(C8)的第一端均与第一电压源(V1)连接;
所述第三晶体管(M3)的栅极与第二电压源(V2)连接;
所述第二电阻(R2)的第二端和第三电阻(R3)的第二端均与第三电压源(V3)连接;
所述第四电阻(R4)的第二端和第五电阻(R5)的第二端均与第四电压源(V4)连接;
所述第一电阻(R1)的第二端、第四晶体管(M4)的源极、第五晶体管(M5)的源极、第六晶体管(M6)的源极、第三电容(C3)的第二端和第四电容(C4)的第二端均与接地端连接;
所述第二电感(L2)的第一端连接本振信号(LO+);第一电感(L1)的第一端连接本振信号(LO-);
所述第五电容(M5)的第一端接射频输出信号(RF+);第六电容(M6)的第一端接射频输出信号(RF-)。
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