[发明专利]一种实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法有效
| 申请号： | 201810646929.X | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108754422B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 赵银女;闫金良;闫慧龙;李宏光 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264025 山东省烟台*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 固体 表面 液态 金属 铺展 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，其特征是用真空磁控非反应溅射镀膜在固体片表面制备Ga2O3薄膜；将Ga2O3薄膜置于H2体积分数5-15%的H2-Ar混合气体中退火，退火温度480-550℃，退火时间10-15分钟，形成从里往外的Ga2O3层/Ga-O混合层/金属Ga层的复合结构薄膜；镓基液态金属液滴沿复合结构薄膜表面扩展并铺展在固体片表面。
2.根据权利要求1所述的实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，其特征是在Ar气氛围中射频磁控溅射Ga2O3靶材制备Ga2O3薄膜，固体片与Ga2O3靶材距离为60-70mm，溅射室Ar气压强0.2-2 Pa，溅射功率密度1.5-5.3W/cm2，Ga2O3薄膜厚度50-200nm。
3.根据权利要求1所述的实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，其特征在于所述的固体片为硅片或铜片。
4.根据权利要求1所述的实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，其特征在于所述的镓基液态金属为Ga62.5In21.5Sn16、Ga68.5In21.5Sn10、Ga75.5In24.5中的一种。
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