[发明专利]一种辐伏类同位素电池的密封放射源及其制备方法

权利要求书

1.一种用于辐伏类同位素电池的密封放射源，其特征在于：所述的放射源由下层金属支撑环(1)、下层金属膜(2)、放射性源芯(3)、上层金属膜(4)、下层有机高分子膜(5)、上层有机高分子膜(6)、中层金属支撑环(7)和上层金属支撑环(8)组成；放射性源芯(3)被包裹在下层有机高分子膜(5)、上层有机高分子膜(6)中，置于下层金属膜(2)和上层金属膜(4)之间，形成三个金属支撑环夹着两层金属膜的双三明治结构。

2.根据权利要求1所述的用于辐伏类同位素电池的密封放射源，其特征在于：所述的金属膜为钛箔或铝箔，厚度为10μm～20μm。

3.根据权利要求1所述的用于辐伏类同位素电池的密封放射源，其特征在于：所述的金属支撑环为钛环或镍环，形状为圆形、方形或其他异形，厚度为0.3mm～1mm，环宽为1mm～3mm。

4.一种权利要求1所述的辐伏类同位素电池的密封放射源的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：

A、将下层金属膜(2)夹在下层金属支撑环(1)和中层金属支撑环(7)之间激光焊接成浅盒状下壳体，将上层金属膜(4)和上层金属支撑环(8)激光焊接成上壳体；

B、在下壳体内滴100μl～300μl耐辐照的有机高分子溶液，使其平铺在金属膜上，形成下层有机高分子膜(5)；

C、放入一张厚为170μm～210μm的耐辐照且吸水性好的纤维素材料，将50μl～300μl的放射性溶液滴在纤维素材料上，在常温下，静置5min～15min，形成放射性源芯(3)；

D、待纤维素材料略干，在其上再滴步骤B中的有机高分子溶液100μl～300μl，形成上层有机高分子膜(6)；

E、将步骤A中焊接好的上壳体压在下壳体上，边缘进行密封焊接，即制成密封放射源。

5.根据权利要求4所述的用于辐伏类同位素电池的密封放射源，其特征在于：所述的耐辐照的有机高分子溶液中的有机高分子为聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物，分子量在300～350000，溶剂为氯仿或乙腈，浓度为10g/l～30g/l；聚苯乙烯及其衍生物，分子量在300～350000，溶剂为氯仿或乙腈，浓度为10g/l～30g/l；聚酰亚胺及其衍生物，分子量在300～350000，溶剂为氯仿或乙腈，浓度为10g/l～30g/l；

步骤2和步骤4滴加的量均为100μl～300μl。

6.根据权利要求4所述的用于辐伏类同位素电池的密封放射源，其特征在于：所述的放射性溶液中的放射性同位素为⁹⁰Sr/⁹⁰Y、¹⁴⁷Pm、⁶³Ni中高能β核素，化学形态为氯化盐或硝酸盐，放射性浓度为1μCi/μl～3mCi/μl，每次滴加量为50μl～300μl。