[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，具有第一导电型的漂移区；

栅极沟槽部，设置为从所述半导体基板的上表面起到所述漂移区为止，并且配置为沿在所述半导体基板的上表面预先设定的延伸方向延伸；

第一台面部，在所述半导体基板中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在与所述延伸方向垂直的方向的一侧；

第二台面部，在所述半导体基板中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在与所述延伸方向垂直的方向的另一侧；

第一导电型的积累区，在所述第一台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述漂移区的上方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

第二导电型的基区，在所述第一台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述积累区的上方；

第一导电型的发射极区，在所述第一台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述基区与所述半导体基板的上表面之间，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

第二导电型的中间区，在所述第二台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述漂移区的上方；以及

第二导电型的接触区，在所述第二台面部的上表面以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述中间区的上方，

所述栅极沟槽部具有：

栅极沟槽；

栅极绝缘膜，以覆盖所述栅极沟槽的内壁的方式形成；以及

栅极导电部，在所述栅极沟槽的内部形成在比所述栅极绝缘膜更靠内侧的位置，

所述栅极导电部的底部在与所述第一台面部相对的一侧具有第一台阶，

所述栅极导电部的底部在与所述第二台面部相对的一侧具有与所述延伸方向垂直的方向上的宽度比所述第一台阶的与所述延伸方向垂直的方向上的宽度小的第二台阶或者没有第二台阶，

在所述半导体基板的深度方向上，所述中间区的至少一部分设置在所述第一台阶与所述栅极沟槽部的底部之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在与所述延伸方向垂直的方向上，所述栅极导电部的所述底部一端设置在比所述栅极沟槽部的中央更靠所述第二台面部侧的位置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在比所述第一台阶更靠上方的位置，与所述第一台面部相对的一侧的所述栅极绝缘膜的厚度不同于与所述第二台面部相对的一侧的所述栅极绝缘膜的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

与所述第二台面部相对的一侧的所述栅极绝缘膜的厚度比与所述第一台面部相对的一侧的所述栅极绝缘膜的厚度大。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间区覆盖所述栅极沟槽部的底部的至少一部分。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二台面部中，在所述中间区的上方且所述接触区的下方设置掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的积累区。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二台面部中，所述积累区以与所述栅极沟槽部接触的方式设置。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二台面部中，所述积累区以与所述栅极沟槽部分离的方式设置。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二台面部中，在所述积累区设置开口。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二台面部中，所述积累区具有：第一积累区和设置在所述第一积累区的下方且所述中间区的上方的第二积累区。