[发明专利]提升全视场光刻成像均匀性的多目标光源和掩模优化方法有效
申请号: | 201810649199.9 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN108693715B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 李艳秋;李铁;孙义钰;盛乃援 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 李微微;仇蕾安 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 视场 光刻 成像 均匀 多目标 光源 优化 方法 | ||
1.提升全视场光刻成像均匀性的多目标光源和掩模优化方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、初始化光源图形和掩模图形,具体包括:
步骤101、将光源初始化大小为NS×NS的光源图形J,将掩模图形M初始化为大小为N×N的目标图形其中NS和N为整数;
步骤102、设置初始光源图形J上发光区域的像素值为1,不发光区域的像素值为0;设定大小为NS×NS的光源变量矩阵Ωs:当J(xs,ys)=1时,当J(xs,ys)=0时,其中J(xs,ys)表示光源图形上像素点(xs,ys)的像素值;设置初始掩模图形M透光区域的透射率为1,阻光区域的透射率为0;设定大小为N×N的掩模变量矩阵ΩM:当M(x,y)=1时,当M(x,y)=0时,其中M(x,y)表示掩模图形上各像素点(x,y)的透过率;令初始掩模图形Mb=M;
步骤二、构造优化目标函数D:
基于光刻物镜第i个视场点对应的偏振像差PAi,确定第i个视场点对应的成像保真度函数其中i=1,2,...,n,n为视场点数量;为目标图形各像素点的像素值;Z(x,y,PAi)表示考虑偏振像差PAi的情况下,利用光刻成像模型计算的当前光源图形和掩模图形对应的光刻胶成像中各像素点的像素值;将目标函数D构造为光刻物镜各视场点成像保真度函数的平均值,即
步骤三、基于所述优化目标函数D,对光源和掩模进行优化,具体步骤包括:
步骤301、计算目标函数D对于当前光源图形对应的光源变量矩阵Ωs的梯度矩阵▽D(Ωs),将光源图形上各像素点的像素值之和Jsum近似为给定常数,继而得到梯度矩阵的近似值计算目标函数D对于当前掩模图形对应的掩模变量矩阵ΩM的梯度矩阵▽D(ΩM);利用最速下降法,更新光源变量矩阵Ωs为获取对应当前Ωs的光源图形J:利用最速下降法,更新掩模变量矩阵ΩM为其中为预先设定的掩模优化步长,获取对应当前ΩM的掩模图形M:更新对应当前掩模图形M的二值掩模图形Mb:tm取为0.5;其中,J(xs,ys)表示光源图形J上各像素点(xs,ys)的像素值;M(x,y)表示掩模图形上各像素点(x,y)的透过率;
步骤302、计算当前光源图形J和二值掩模图形Mb对应的目标函数D的值;当该值小于预定阈值或更新光源变量矩阵Ωs与掩模变量矩阵ΩM的次数达到预定上限值时,进入步骤303,否则返回步骤301;
步骤303、终止优化,并将当前光源图形J和掩模图形Mb确定为经过优化后的光源图形与掩模图形。
2.根据权利要求1所述提升全视场光刻成像均匀性的多目标光源和掩模优化方法,其特征在于,所述偏振像差PAi在考虑透镜表面散射、膜层及晶体双折射效应影响的前提下计算得到。
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