[发明专利]一种高性能液晶化合物及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种液晶化合物，其特征在于，具有通式I所示结构：

R表示C₁～C₁₅的烷基、烷氧基或C₂～C₁₅的链烯基，其中，任意一个或多个H原子可以各自独立地被F或Cl取代，任意一个或多个CH₂可以各自独立地被环戊基、环丁基或环丙基替代；

Z表示C₁～C₁₅的亚烷基或亚烯基，其中，任意一个或多个H原子可以各自独立地被F或Cl取代；

各自独立地表示

L表示H，CH₃或OCH₃；

m、n彼此独立地表示0或1。

2.根据权利要求1所述的液晶化合物，其特征在于，R表示C₁～C₁₀的烷基、烷氧基，C₂～C₁₀的链烯基，其中，任意一个或多个H原子可以各自独立地被F或Cl取代，任意一个或多个CH₂可以各自独立地被环戊基、环丁基或环丙基替代；

优选地，R表示C₁～C₁₀的烷基、烷氧基，C₂～C₁₀的链烯基，其中，任意一个或多个H原子可以被F取代，任意一个或多个CH₂可以各自独立地被环戊基、环丁基或环丙基替代。

3.根据权利要求1或2所述的液晶化合物，其特征在于，Z表示C₁～C₁₀的亚烷基或亚烯基，其中，任意一个或多个H原子可以各自独立地被F或Cl取代；

优选地，Z表示C₁～C₁₀的亚烷基或亚烯基。

4.根据权利要求1-3任一项所述的液晶化合物，其特征在于，在通式I中，当m＝n＝1时，环A环B不同时为

或，当m＝n＝1，环A或环B为时，环B或环A选自

5.根据权利要求1-4任一项所述的液晶化合物，其特征在于，选自如下化合物的一种：

6.根据权利要求1-5任一项所述的液晶化合物，其特征在于，选自如下化合物中的一种：

R₁表示C₁～C₁₀的烷基、烷氧基，其中，任意一个或多个H原子可以被F取代；

7.一种制备权利要求1-6任一项所述的液晶化合物的方法，其特征在于，合成路线如下：

以上各步骤反应中所涉及化合物中的R、L、Z、m、n与所得液晶化合物产物中R、L、Z、m、n相对应；

优选地，包括以下步骤：

(1)先与正丁基锂进行金属化反应，再与二氟二溴甲烷反应合成化合物

(2)先与镁屑反应形成格式试剂，再与硼酸三甲酯反应得到

(3)通过步骤(2)得到的与过氧化氢反应得到

(4)通过步骤(1)得到的与通过步骤(3)得到的威廉森合成法反应合成化合物

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，正丁基锂与二氟二溴甲烷的投料摩尔比为1∶1.0～1.5∶1.6～2.0，反应温度-80～0℃，反应时间为1～6h；

和/或，

步骤(2)中，镁屑、硼酸三甲酯的投料摩尔比为：1:1.5～2.5:1.6～2.5；滴加硼酸三甲酯的温度为-20℃～0℃；

和/或，

步骤(3)中，与过氧化氢的投料摩尔比为：1：2.5～3.5；反应时间2h；

和/或，

步骤(4)中，的投料摩尔比为1∶1.0～2.0，反应温度50～120℃，反应时间为3～8h。