[发明专利]一种针对低浓度NO2气体的新型In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料有效

专利信息
申请号: 201810650751.6 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN108663417B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 刘久荣;杜文静;吴莉莉;汪宙;王凤龙;王琦;刘伟 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;C01G15/00;C01G30/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 郑平
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 空心纳米 气敏材料 修饰 多孔结构 气敏性能 气敏元件 复合 制备 半导体气敏材料 复合半导体 复合结构 基体表面 灵敏度 摩尔比 孔道 制作 响应 应用 恢复
【权利要求书】:

1.一种针对低浓度NO2气体的新型In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料的制备方法,其特征在于,所述气敏材料由金属氧化物纳米管和修饰其上的修饰相颗粒组成;

其中,金属氧化物纳米管为单分散空心纳米管,管的长度为1-5μm,直径为100-500nm,壁厚为10-40nm;

修饰相颗粒粒径在2-15nm;

制备方法为:

将基体原料、修饰相原料,和氨基对苯二甲酸或对苯二甲酸在有机溶剂中混合均匀,溶剂热法合成配位聚合物;

将上述配位聚合物离心、烘干、并煅烧获得掺杂气敏材料;

所述基体原料包括:InCl3、In(SO4).9H2O、In(NO3)3.4.5H2O、In(NO3)3.xH2O中的一种;

所述修饰相原料:SbCl3

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述修饰相为基体原料的摩尔量的0.1-10mol%。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氨基对苯二甲酸或对苯二甲酸的用量为基体原料重量的0.1-1.5倍。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述氨基对苯二甲酸或对苯二甲酸的用量为基体原料重量的0.2-0.8倍。

5.权利要求1-4任一项所述的方法制备的低浓度NO2气体的In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料。

6.一种NO2气敏元件,其特征在于,包括:权利要求5所述的复合空心纳米管气敏材料。

7.如权利要求6所述的气敏元件,其特征在于,在陶瓷基片上涂覆含有权利要求5所述的复合空心纳米管气敏材料的气敏层浆料。

8.如权利要求7所述的气敏元件,其特征在于,所述气敏层浆料中还包括乙基纤维素与松油醇。

9.如权利要求7或8所述的气敏元件,其特征在于,采用旁热式器件结构,以氧化铝陶瓷基片为载体,两面敷有金电极分别为测试电极和加热电极,并有铂丝引出电极,氧化铝陶瓷基片一面外涂覆有气敏层浆料。

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