[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括漂移区；

场氧化层，位于所述漂移区的衬底上；

栅极结构，包括覆盖部分所述场氧化层和衬底的栅电极，以及与所述栅电极相邻的场极板，栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；第一方向为列向，第二方向为行方向，相邻列的伪栅结构错位排布；

漏区，位于所述场极板一侧的漂移区中；

源区，位于所述栅电极一侧的衬底中。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一方向的多个伪栅结构等间隔排列；第二方向的多个伪栅结构之间等间隔排列。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，在衬底投影面上，所述伪栅结构的形状为矩形。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在衬底投影面上，所述伪栅结构的形状为等腰三角形，相邻列伪栅结构构成伪栅组，包括第一列伪栅和第二列伪栅，第一列伪栅的等腰三角形与第二列伪栅的等腰三角形顶角相对且相互嵌入。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅电极与所述伪栅结构材料相同。

6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅电极与所述伪栅结构的材料为多晶硅。

7.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述伪栅结构通过插塞连接于地端。

8.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成漂移区；

在所述漂移区衬底上形成场氧化层；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括部分覆盖所述场氧化层和衬底上的栅电极，以及与所述栅极结构相邻的场极板，所述栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；所述第一方向为列向，所述第二方向为行方向，相邻列的伪栅结构错位排布；

在所述场极板一侧的漂移区中形成漏区；

在所述栅电极一侧的衬底中形成源区。

9.根据权利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成所述栅电极的过程中形成所述场极板。

10.根据权利要求9所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构包括：

形成覆盖所述衬底和所述场氧化层的栅极材料层；

在所述栅极材料层上形成掩膜层；

图形化所述掩膜层形成图形层；

以所述图形层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层，形成栅电极以及多个伪栅结构，所述多个伪栅结构用于构成所述场极板。

11.根据权利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一方向的多个伪栅结构等间隔排列；所述第二方向的多个伪栅结构之间等间隔排列。

12.根据权利要求11所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在衬底投影面上，所述伪栅结构的形状为矩形。

13.根据权利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在衬底投影面上，所述伪栅结构的形状为等腰三角形，相邻列伪栅结构构成伪栅组，包括第一列伪栅和第二列伪栅，第一列伪栅的等腰三角形与第二列伪栅的等腰三角形顶角相对且相互嵌入。

14.根据权利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述栅电极与所述伪栅结构材料相同。