[发明专利]温度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种温度传感器，其特征在于：包括温度传感器探头和数据采集元件，所述温度传感器探头包括涂覆有感温碳纳米材料层的导热基体以及封装外壳，其中所述感温碳纳米材料层封装于所述封装外壳内部，所述封装外壳和感温碳纳米材料层之间填充有绝热层，所述导热基体的至少一部分裸露于所述封装外壳外部，所述感温碳纳米材料层中的至少两部分作为电极分别与所述数据采集元件电连接。

2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于：所述导热基体具有导电性时，所述导热基体和感温碳纳米材料层之间还包括绝缘层。

3.根据权利要求2所述的温度传感器，其特征在于：所述导热基体为具有导电性的金属片。

4.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于：所述导热基体不具有导电性，所述导热基体为高分子或导热陶瓷。

5.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于：所述感温碳纳米材料层为一维碳纳米管、二维石墨烯和二维纳米石墨片层中的一种或上述几种材料的二维或三维堆砌聚集体结构。

6.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于：所述感温碳纳米材料层为碳化后的高分子层，所述碳化后的高分子层由聚酰亚胺、聚丙烯腈、木质素和纤维素中的一种或几种碳化后得来。

7.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于：所述数据采集元件为电阻数据采集元件。

8.一种权利要求1-7中任一项所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在所述导热基体的表面修饰所述感温碳纳米材料层，然后将所述感温碳纳米材料层的至少两部分与数据采集元件分别进行电连接，再将所述感温碳纳米材料层封装于所述封装外壳内部，并在所述感温碳纳米材料层与封装外壳之间填充绝热层，且所述导热基体的至少一部分裸露于所述封装外壳外部，形成所述温度传感器。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：在所述导热基体的表面修饰所述感温碳纳米材料层之前还包括在所述导热基体的表面修饰绝缘层的步骤。