[发明专利]一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法

说明书

一种电阻可调的互联硅通孔的新型制作方法，涉及互联硅通孔的制作方法领域；包括如下步骤：步骤(一)、在高阻硅的上底面和下底面进行氧化；步骤(二)、在电隔离层上刻蚀硅通孔；步骤(三)、在高阻硅上表面电隔离层上表面淀积金属薄膜；步骤(四)、在金属薄膜种子层上表面铺好光刻胶；步骤(五)、制作互联硅通孔信号输入/输出端；步骤(六)、制作形成地层互联层；步骤(七)、对硅通孔的内壁进行电镀；步骤(八)、对高阻硅沿预先设定的划片道进行划片，分隔出互联硅通孔芯片；本发明工艺简单，能够满足惠斯通电桥桥臂电阻的补偿需求，降低了电阻匹配难度，实现了更好的工艺集成。

技术领域

本发明涉及一种互联硅通孔的制作方法领域，特别是一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法。

背景技术

基于MEMS技术，可以在硅技术封装领域开发出新的信号互联方式。这种方式不仅可以用在微电子领域，而且还可以用在机械、声学、流体、光电子、生物医学等领域。由于压力传感器、加速度计和陀螺仪、投射式微镜、喷墨打印头等快速增长的市场需求，这种新应用(包括传感器和制动器等)通常开发在单独的芯片上。正在形成的新兴市场(包括无线通讯、医疗、卫生、可穿戴市场)等方面。这些新产品的特点是，首先采用硅深反应离子刻蚀(DRIE)在单个芯片上实现高深宽比的形貌，然后进行硅通孔互连，完成3D芯片叠放，形成系统级封装(SiP)器件。

现有技术着重于不将硅通孔通导电阻附加于硅通孔上，这样必须额外匹配电阻，具有体积大，质量重，不易集成等缺点。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种互联硅通孔的制作方法领域，工艺简单，能够满足惠斯通电桥桥臂电阻的补偿需求，降低了电阻匹配难度，实现了更好的工艺集成。

本发明的上述目的是通过如下技术方案予以实现的：

一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法，包括如下步骤：

步骤(一)、采用圆柱形状的高阻硅作为衬底材料，在高阻硅的上底面和下底面进行氧化，制备电隔离层；

步骤(二)、在电隔离层上刻蚀硅通孔；

步骤(三)、在高阻硅上表面电隔离层上表面淀积金属薄膜，形成种子层；

步骤(四)、将带有矩形通孔的光刻胶作为模版，在金属薄膜种子层上表面铺好光刻胶；

步骤(五)、在光刻胶通孔露出的金属薄膜种子层上表面进行电镀；金属薄膜种子层沿光刻胶通孔自然生长出互联硅通孔信号输入/输出端；将光刻胶及光刻胶下表面覆盖的金属薄膜种子层去除；

步骤(六)、在高阻硅下表面电隔离层的下表面淀积金属薄膜，形成地层互联层；

步骤(七)、对硅通孔的内壁进行电镀，硅通孔的内壁自然生长出互联硅通孔金属，实现将互联硅通孔信号输入/输出端和地层互联层连通；

步骤(八)、对高阻硅沿预先设定的划片道进行划片，分隔出互联硅通孔芯片。

在上述的一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法，所述步骤(一)中，高阻硅的电阻率不小于4000Ωcm；电隔离层厚度为1.8-2.2μm。

在上述的一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法，所述步骤(二)中，硅通孔为圆形通孔，直径为200μm。

在上述的一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法，所述步骤(三)中，淀积金属薄膜种子层的方法为：采用钛材料或金材料对形成硅通孔的电隔离层上表面进行溅射；形成金属薄膜种子层的厚度为0.05～0.2μm。

在上述的一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法，所述步骤(五)中，对露出的金属薄膜种子层上表面进行电镀时，电镀材料采用金材料。