[发明专利]电导探针及其制造方法

权利要求书

1.一种电导探针，其特征在于，包括：

基体，所述基体的表面绝缘；

探头和引线，所述探头和所述引线均设置在所述基体的表面，所述引线与所述探头相连，所述引线用于与外部测试电路连接；

绝缘层，所述绝缘层包覆所述基体、所述引线且包覆所述探头的侧壁，所述探头背离所述基体的一端从所述绝缘层露出；

所述探头和所述引线均为多个，多个所述探头和多个所述引线一一对应，多个所述探头至少分为一组，每组包括多个所述探头，每组的多个所述探头中的至少两个沿所述基体的轴向间隔开分布，至少两个所述探头布置在一条直线上，该直线与所述基体的轴线平行。

2.根据权利要求1所述的电导探针，其特征在于，每组的多个所述探头中的至少两个沿垂直于所述基体轴向的方向间隔开分布。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的电导探针，其特征在于，所述基体包括：芯体和设于所述芯体表面的屏蔽层，所述屏蔽层为绝缘材料制成，所述探头和所述引线均设置在所述屏蔽层外。

4.根据权利要求3所述的电导探针，其特征在于，所述芯体为硅制成，所述屏蔽层为氧化硅或氮化硅制成。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的电导探针，其特征在于，所述探头背离所述基体的一端低于与所述绝缘层的外表面，且与所述绝缘层的高度差不大于1000nm。

6.根据权利要求1-2中任一项所述的电导探针，其特征在于，所述电导探针的一端为锥形。

7.根据权利要求1-2中任一项所述的电导探针，其特征在于，所述基体的横截面积小于0.15mm²。

8.一种如权利要求1-7中任一项所述的电导探针的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

基体加工；

探头与引线加工，在所述基体的表面生成金属膜，将多余的金属膜去掉以成型出探头与引线；

绝缘层加工，在所述基体、所述探头与所述引线的表面生成绝缘层，将探头端面的绝缘层去掉。

9.根据权利要求8所述的电导探针的制造方法，其特征在于，

所述步骤基体加工包括将硅片的表面热氧化或氮化，以使硅片的表面形成二氧化硅或氮化硅的屏蔽层；

或者，所述步骤在所述基体的表面生成金属膜包括在所述屏蔽层光刻形成探头与引线的图形，溅射金属或蒸金；

或者，所述步骤将多余的金属膜去掉以成型出探头与引线采用蚀刻或剥离工艺；

或者，所述步骤在所述基体、所述探头与所述引线的表面生成绝缘层采用化学气相沉淀或物理气相沉淀工艺；

或者，所述步骤将探头端面的绝缘层去掉包括光刻形成探头的图形，采用蚀刻工艺去掉探头处的绝缘层。