[发明专利]一种三轴磁场传感器

权利要求书

1.一种三轴磁场传感器，包括X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器；其特征在于：所述的X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器均设置在衬底上，X/Y双轴磁场传感器与Z轴磁场传感器位置相邻；用于测量三轴磁场；

所述的X/Y双轴磁场传感器包括双轴磁通引导器；双轴磁通引导器设置在衬底上，双轴磁通引导器外部框架为方环形或圆环形结构，两条对角线或两条垂直的对称轴将双轴磁通引导器分为四个区域；每个区域均开有磁敏电阻放置间隙；每个区域设置有一对磁敏电阻，磁敏电阻均设置在衬底上，一个磁敏电阻被双轴磁通引导器覆盖，另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内；检测同向磁场的两对磁敏电阻连成一组惠斯通电桥结构，两组惠斯通电桥形成两个输出；分别测量X轴和Y轴磁场分量；

所述的Z轴磁场传感器包括单轴磁通引导器和两对磁敏电阻，两对磁敏电阻分别设置在单轴磁通引导器的两对边；两对磁敏电阻连成一组惠斯通电桥结构，形成一个输出，测量Z轴磁场分量；在Z轴磁场作用下，单轴磁通引导器两边边缘处产生具有不同方向水平分量的漏磁场，被分别位于两侧的两对面内敏感的磁敏电阻所感知，并由惠斯通电桥进行输出。

2.如权利要求1所述的一种三轴磁场传感器，其特征在于：所述的Z轴磁场传感器放置在X/Y双轴磁场传感器的环形双轴磁通引导器的环形内部。

3.如权利要求1所述的一种三轴磁场传感器，其特征在于：所述的磁敏电阻放置间隙的两边与切边呈大于0°小于90°的倾斜角。

4.如权利要求1所述的一种三轴磁场传感器，其特征在于：所述的衬底为硅基。

5.如权利要求1所述的一种三轴磁场传感器，其特征在于：所述的磁敏电阻为各向异性磁电阻、巨磁阻电阻、磁隧道结电阻。

6.如权利要求1所述的一种三轴磁场传感器，其特征在于：所述的磁通量引导器为具有高导磁率的软磁材料制成。

7.如权利要求1所述的一种三轴磁场传感器，其特征在于：所述的惠斯通电桥电路通过金属线相连，并能够与硅基集成信号处理电路原件相连或者在硅片上实现单芯集成。

8.如权利要求1所述的一种三轴磁场传感器，其特征在于：所述的惠斯通电桥为惠斯通电桥全桥结构或惠斯通电桥半桥结构。