[发明专利]电极微陀螺及其制备方法在审
| 申请号： | 201810652716.8 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108871303A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张卫平;李敏阳;刘朝阳;谷留涛;田梦雅;崔峰;张钰莹;成宇翔;赵万良;刘瑞鑫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海航天控制技术研究所 |
| 主分类号： | G01C19/56 | 分类号： | G01C19/56 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凹槽形成步骤 微陀螺 电极 镍电极 制备 微机械加工工艺 高度对称性 支撑柱通孔 电极凹槽 结构稳定 金属步骤 金属层组 响应灵敏 抗冲击 体积小 谐振器 掩膜层 刻蚀 去除 驱动 生产 成熟 | ||
1.一种电极微陀螺的制备方法，其特征在于，包括第一器件凹槽形成步骤、第二器件凹槽形成步骤、支撑柱通孔形成步骤；
所述第二器件凹槽形成步骤包括掩膜层形成步骤、谐振器凹槽形成步骤。
2.根据权利要求1所述的电极微陀螺的制备方法，其特征在于，所述第一器件凹槽形成步骤包括电极凹槽形成步骤、金属层组形成步骤、去除多余金属步骤。
3.根据权利要求2所述的电极微陀螺的制备方法，其特征在于，在所述电极凹槽形成步骤中：
清洗衬底(1)，在衬底(1)上形成电极凹槽(2)；
在金属层组形成步骤中：
在所述电极凹槽(2)内依次沉积第一金属层(7)、第二金属层(8)以及第三金属层(9)；
在所述去除多余金属步骤中：
去除多余的第三金属层(9)；
所述多余的第三金属层(9)为电极凹槽(2)的槽外的第三金属层(9)。
4.根据权利要求3所述的电极微陀螺的制备方法，其特征在于，所述第一金属层(7)为铬层；所述第二金属层(8)为铜层；所述第三金属层(9)为镍层。
5.根据权利要求1所述的电极微陀螺的制备方法，其特征在于，在所述掩膜层形成步骤中：
在衬底(1)及第三金属层(9)上形成掩膜层(3)；
在谐振器凹槽形成步骤中：
通过掩膜层(3)形成谐振器凹槽(4)，去除掩膜层(3)。
6.根据权利要求5所述的电极微陀螺的制备方法，其特征在于，在所述支撑柱通孔形成步骤中：
在所述谐振器凹槽(4)底部形成支撑柱通孔(5)，去除谐振器凹槽(4)的槽外的余料。
7.根据权利要求6所述的电极微陀螺的制备方法，其特征在于，还包括连接层步骤；
在所述连接层步骤中：
在谐振器凹槽(4)、支撑柱通孔(5)这两者内均形成连接层(6)。
8.根据权利要求7所述的电极微陀螺的制备方法，其特征在于，还包括谐振器结构形成步骤；
在所述谐振器结构形成步骤中：
沿谐振器凹槽(4)的外表面方向，去除衬底(1)。
9.一种微陀螺，其特征在于，通过权利要求1至8中任一项所述的电极微陀螺的制备方法制作出的陀螺。
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